机组素二维层状素材（硅烯、锗烯、锡烯、磷烯、碲烯、铋烯和硼烯）

.我对石墨稀、编织成单层和多个过度合金硫化橡胶物等二维的产品各种同一原子核标准它的厚度的层状的产品的的调查进况愈来愈速度快。二维的产品因与众不同的规定性跟在自动化、传感器、激光能量手机存储和信息采集等几个方面的潜在性的采用而被的调查者们所多的调查。

具体来说，“象限素二维装修材料”是由单调化学物质组建的二位层状建材。自石墨烯材料被表明并广泛的分析之后，“第一单元素二维原料”氏族的一员连续不断进步变大，有了一大些新奇的涂料，如硅（Si）、锗（Ge）、锡（Sn）、磷（P）、碲（Se）、铋（Bi）和硼（B）等设计元素的二维物料要素，也还是何谓的硅烯、锗烯、锡烯、磷烯、碲烯、铋烯和硼烯。哪些物料基本上都还具有半导体材料带隙和高迁徙率，使它是在电子设备学和光电产品子设备学中的软件应用如此好玩。和各种二维物料类似，它是的成分可能很加容易地完成检查是否和防静电夹杂着或对接扯力等技术来调正。

硼烯线弊病的混合法和定期性自制造

二维（2D）硼（即，borophene）获得下述理论研究推测1，2，3，4，5。它的五金性和高的面内各向男人将石墨烯材料6和双层结构黑磷7的大多梦想屬性依照在一同。当做人工的2D的材料，其机构性能没法从一块块硼中推论断定，这得出结论未得知硼烯的原有缺欠。

你不在里，我国采用超长真空箱（UHV）扫苗隧道施工电子显微镜/光谱分析学（STM / STS）和导热系数泛函本体论（DFT）在水分子尺幅上设计了硼烯线瑕疵。在酌情的植物生长具体条件下，硼烷比应于v 1/6和v 1/5挖掘模式能否与另一相的构成的单无相配备的架构相护结合并可容线常见问题。这类线常见问题在正能量场上面有利于范围时间性自安装，所以产生新的硼芬相，这发暗了硼芬单晶体和常见问题之前的什么差别。在其高的剖面各向男人和在正能量场和架构上相近的多晶型物，这毛细现象是硼芬所的。超高温测定进一点证明了与电势硬度波（CDW）保持一致的微小光学共同点，这共同点由火车线路缺陷报告调制解调。这个共价键级的体谅或者会为时未进行的依据borophene的广泛应用环节的构思和保证 制作出拼搏。

水分子黏稠受限制内的随时制成渠道使2D建材不要在块体8中分刘海层。举个例子，硼的原子核级薄的时间段，称作为borophene 1，2，已被实验报告实现目标。按理来说算起分析，在并且的三边形晶格存在相似性的达成能，但中空中六角形（HHS）的有差异搭建的几个机会borophene多晶型3，4，5。

图a表现了硼在UHV中的Ag（111）上沉淀积累后的亚编织成单层氮烯的STM画像。艳丽的点分别于一般而言普遍存在作个别动物群borophene萌发后的小颗粒剂硼1，2，13。随着STM三维成像的植被和电子器件设计的卷积，归结borophene岛屿旅游表明为以上激光散斑水平下的凹痕，与事先的简报不一样1，2，13。这对沉淀在面上21和氮化金属质从表面22上的材料的亚三层铺盖，还观察植物到氧分子薄岛组成。其实，一些岛要不就是是与底材的合金钢，要不就是是与底材共价键合的，这与硼烯和银底材互相欠缺的非共价彼此功能有所差异。在STS（d I / d V）图（图b）中，统一部位的borophene岛被更了解位置分成亮域。在440至470°C的底物生张气温下，始终如一看到二个区别的硼烯相，依次相关联于HH溶液浓度为v =  1/6和1/5的v 1/6和v 1/5组成部分（v = n / N，进来   Ñ是户对一因此三边形晶格的数额Ñ晶格位点）1，2，13。补充营养图1列出了硼烷在更宽的溫度超范围内植物发展的溫度涉及到性，该图表明了伴随植物发展溫度从350°新增到500°，硼烷从v 1/6到v 1/5的迅速缓冲间。C。DFT换算界面显示这一个相都拥有同类的生物学势，之所以都拥有同类的热稳界定性（v 1/ 6，-6.359 eV水分子–1；v 1/ 5，-6.357 eV原子结构–1（增加图2）），与原本的科学研究不同3，4。

a，b，生长发育在Ag（111）上的硼苯的态溶解度（DOS）的大市场规模STM形貌（a）和STS图（b）。c，d，v 1/6（c）和v 1/5（d）硼芬片的氧原子签别率STM图案，行间隔分别为为0.54±0.03 nm和0.45±0.02 nm。e，在v 1/6和v 1/5硼芬片的各个地方拍出的四个STS光谱图彰显出重金属道德行为。f，g，B 1的原位XPS光谱仪s（f）和O 1 s（g）的核心思想含量表述原状的硼烷生长发育。

b，STM偏置电压降（V s）在a和b中为–1 V，在c中为–0.35 V，在d中为–1.2V 。au，其中任何公司的。

图上提供了的好几个相的水分子撸点的STM画面。1个各用C，d，。我以为反复的等边三角形结构特征单元尺寸在v 1/6页的相连行中分散对齐（用鲜红色方形显示；行行距为0.54±0.03 nm），但一些第一单元错落布局，相似于v 1中的墙砖花图案/ 5张（用蓝方形代表；行间边距为0.45±0.02 nm），与已前的做工作统一2。

这十几张金属质制片全是金属质制的，比如在300 K时任何相上的d I / d V拟合曲线所证明怎么写的（图1e）。在图1f中，B 1 s的原位X光谱线光电材料子能谱管理处层次最适合两只亚峰（鲜红色，187.6 eV；颜色，188.9 eV），相对应的于扣减蓝本（绿申请这类卡种曲线提额）后不一样的的B–B键。在差不多192 eV处也没有硫化的硼峰，上加的O 1 s本质总体水平数据信息（图1g）否认了硼苯的原有性能。