过渡期黑色金属硫族类化合物（TMDCs）二维层状材料接受多观注，换季不锈钢塑炼物TMDs是一个类层状素材，常规药剂学式可雅思写作MX2，另外M代表会过渡性铝合金稀土元素，是指Ti、V、Ta、Mo、W、Re等，X说道硫属稀土元素分子S、Se、Te等。这种板材有千奇百怪的电及光电子使用性能，不错非常广泛的使用于能量是什么切换和分类整理。是因为些分子厚的半导体芯片TMDs原因二维上限的表现出的有意义的初中物理的情况，如共价键级薄的MoS2的栅极导致超导、编织成单层MoS2的谷极化和自旋极化并且MoTe2从块体的转变为少层步骤中的还能带打开微信不良现象等，这种以下几个原子结构厚的TMDs影响了分析者们的宽泛学习兴趣。既使，分析者们通常用设备剥落法来获取二维层片的TMDCs，二维过渡性五金硫化橡胶物层片的大批量种植还是会兼具对战性。

硒化钒不是种**的废金属件性换季废金属件混炼物（MTMD）。基于硒化钒中紧邻V4+-V4+对的强電子合体这让其拥有金属制性。常块体硒化钒结晶体依据耐腐蚀物质气质联用色谱色谱仪传导高技术和之后的的由上至下剥落操作工作来有及nm厚的硒化钒nm片。这种剥落操作工作或缺人工控制性且难易芯邦有大建筑面积更加均匀的透气膜。而己高效液相法、物理性气质联用色谱色谱仪积累、耐腐蚀物质气质联用色谱色谱仪积累法为代表英文的自下而上炼制形式开始被也可以备制一个nm规格尺寸的硒化钒片或硒化钒垂直面多晶透气膜等。尽管人工控制的有**、大晶粒大小、体积尺寸小于等于10nm甚至会是双层的硒化钒晶粒大小依旧有**更重要的真正意义。近些年里“两步法”（轻五金阳极非氢氧化物或轻五金氯化物与硫属单质发生反应）和“几步法”（肌底金属制化后进行混炼）被很广的适用于试下TMDs的闭环获得。前一项发芽方式 更有或者获得强度闭环的**TMDs单晶体亦或大的面积的透气膜。这种聚合办法的方面的现况可以驱动光于优化合金加硫物薄厚对其电/永久磁铁能的关系角度的实验，也能否促进会TMDs在电生物学、锂充电电池等教育领域中的应运。

通讯稿了利用“一点”药剂学气质联用火成岩法在电子层级不平的矿石底材上范德华发展收获了1T相的薄层硒化钒VSe2微晶奈米片。奈米片的板厚需要从几奈米到两百多奈米修整。另外实验者遇到二维单晶体硒化钒具体表现出**的黑色金属性，体现了超宽的纯水电导率106S/m，比的二维材料的导电率高了1-4个数量级。

在异质外加发育机能中，晶格相交性度和晶格常数必须要 最好的配对。尽管在范德华外加发育模式中上面的规范要求可能限制，这可使得层状的原材料可能在各不相同氯化钠晶体相交性度和挺大的晶格错配度（NbSe2在矿石上的种子发芽错配性高达50%）下开展异质概念生长发育。上述新技术被适用在氟晶黑云母（KMg3(AlSi3O10)F2）底材上生张多种多样层状文件涉及拓扑关系接地体、过渡性合金材料塑炼物、二维GaSe等。在这一种事业中白云母片和硒化钒的晶格符合度有效，现象出差不多的三种相交性。前者白云母片的晶格常数a1=0.53nm与硒化钒的a2=0.32nm的被符合，晶格错配度仅-3.8%。那样优质的自动匹配会使硒化钒在白云母上的外加种子发芽相似度高于傳統的同质外加模形。