基于GeSn/Ge双层纳米线光电探测器件及性能表征

学习方案考生采用大分子束本质技艺，胜利制取出大占地面积、高比热容且高长宽比的Genm线，并采用其用作建筑模板，实行三次生成法收获了Sn多组分大约~10%的GeSn/Ge加厚nm线构成设计。可能nm线存在柔性fpc线路板且**的比表占地面积，都可以实行Q弹变形的办法人工控制弛豫尽情释放GeSn/Ge彼此晶格失配机遇的能力，得以****GeSn/Ge操作界面处的瑕疵生成。可能GeSn存在过窄的禁上行速率度，为了依据GeSn/Ge加厚nm线的微电子测探电子器件比Genm线微电子测探器存在更长的测探激发光谱，拓宽到2 μm以上内容。为了让**窄禁上行速率度GeSn激发的暗电压提升，学习方案考生进十步机遇存在铁电性的P(VDF-TrFE)正离子胶用作栅媒介，实行侧栅监测幅度降低了GeSn/Ge加厚nm线微电子测探器的暗电压与静止功耗测试，得以实行了相辅相成长激发光谱与低暗电压的微电子测探，针对于拓张Ⅳ族原料nm线构成设计在微电子测探前沿技术的学习方案与应运存在更重要基准重要性。

   

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