基于GeSn/Ge双层纳米线光电探测器件及性能表征

探析职工凭借团伙束概念方法，获取成功光催化原理出大户型、高导热系数且高长宽比的Ge奈米线，并凭借其充当摸板，利用三次积累法获取了Sn成分达到~10%的GeSn/Ge两层奈米线组成部分。会因为奈米线都体现了超的材料且**的比表户型，才可以利用可塑性塑性形变的形式综合性弛豫发挥GeSn/Ge期间晶格失配添加的剪切力，以此****GeSn/Ge程序界面处的的缺陷组成。会因为GeSn都体现了过窄的禁上行带宽起步度，故而体系的结构GeSn/Ge两层奈米线的微电子公司科技子监测系统电子元件比Ge奈米线微电子公司科技子监测系统器都体现了更长的监测系统主光的波长，蔓延到2 μm之上。为**窄禁上行带宽起步度GeSn因起的暗电压感应电流值增长，探析职工进一歩添加都体现了铁电性的P(VDF-TrFE)铁离子胶充当栅物料，利用侧栅控制急剧大幅度降低了GeSn/Ge两层奈米线微电子公司科技子监测系统器的暗电压感应电流值与静态式的工作电压，以此控制了兼备长主光的波长与低暗电压感应电流值的微电子公司科技子监测系统，面对拓展活动Ⅳ族的材料奈米线组成部分在微电子公司科技子监测系统行业领域的探析与广泛应用都体现了为重要参考价值目的。

   

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