传统的催化剂载体如氧化铝、氧化硅等氧化物，活性炭，碳化硅等，具有制备简单，原料易于获取，高比面积等优点。但在一些苛刻的反应条件下，例如高温、高压、原料中混有杂质时，将导致催化剂的活性较低、寿命减短。

导热性性工作方面，老式钝化物崔化剂质粒平台如钝化铝、二钝化硅的导电性性性性都较好差，钝化铝的导电性性性率26~40W/(m·K)，二钝化硅的导电性性性率仅有7.6W/(m·K)，而炭化硅的导电性性性率达到100~200W/(m·K)。在强热产生发生发应中，质粒平台的导电性性性性过差将以至于发生发应物的糖份没办法产生进来，组成“焦点”，以至于其本来的比外表面积骤降以及崔化剂活力性成份焙烧等问題。

机械性能因素，增碳硅原料包括有些相似金刚石的四面八方体节构单元测试卷，而能包括高的机械厂性构造和抗拉强度。氧化症状铝、活力性炭的这不仅更易在配送步骤中碎裂，还也许 被症状步骤中的热蠕变、机械厂性蠕变伤害。

有机化学可靠性的方面，氧化的铝、灵吸附性炭吸附的物理化学本质活波，更易和灵吸附性组成成分形成相互间效果，必将作用崔化剂的纵向功能参数。炭化硅建筑材料功能参数安全动态平衡，耐碱耐的腐蚀，这类，高比面积的SiC既然在盐酸或5mol/L的硝酸银中仍能保护安全动态平衡。

比外表积这方面，氧化铝比表面积大于200m²/g，常规活性炭比表面积300~1000m²/g，改良的超级活性炭更是达到2000m²/g以上。高比表面积及细孔结构能保证载体表面均匀支载活性组分，为催化反应提供场所。但是对于碳化硅而言，存在美中不足，这是因为工业上通常采用Acheson法制备SiC材料，即将粉状的C和SiO₂混合，加热到2000℃以上通过碳还原法得到SiC。该方法制备的SiC为α-SiC，比表面积在0.1~1m²/g，并不适合作为催化剂载体。为了解决比表面积低的问题，目前主要有两个途径：实现高比表面积多孔SiC的制备和对现有低表面积SiC进行表面碳化以获得适合催化应用的多孔表面C层。