传统的催化剂载体如氧化铝、氧化硅等氧化物，活性炭，碳化硅等，具有制备简单，原料易于获取，高比面积等优点。但在一些苛刻的反应条件下，例如高温、高压、原料中混有杂质时，将导致催化剂的活性较低、寿命减短。

热传导性方向，传统型脱色物促使想法剂形式如脱色铝、二脱色硅的导电性都相对差，脱色铝的导电率26~40W/(m·K)，二脱色硅的导电率仅有7.6W/(m·K)，而氢氟酸处理硅的导电率可高达100~200W/(m·K)。在强热传导想法中，形式的导电性过差将促使想法物的脂肪含量难易传导除去，转变成“热度”，促使其客观实在的比表面上积越来越低竟然促使想法剂活性酶类成分表辊道窑等事情。

机械设备制造耐磨性几个方面，增碳硅产品都极具相仿金刚石的四边体结构的摸块，以至于都极具高的设备挠度和洛氏硬度。阳极三氧化二铝、活性酶类炭的不但最易在运载方式中破损，还也许 被化学反应方式中的热冲撞、设备冲撞损坏。

生物稳定可靠性等方面，防腐蚀铝、活力炭的有机渗透能力生动活泼，方便于和活力营养成分有上下级反应，从而会影响崔化剂的一体化能力。氢佛酸处理硅素材能力固定，耐碱耐防腐蚀，列举，高比单单从表面积的SiC所有在氢佛酸或5mol/L的硝酸银中仍能保证固定。

比外壁积的方面，氧化铝比表面积大于200m²/g，常规活性炭比表面积300~1000m²/g，改良的超级活性炭更是达到2000m²/g以上。高比表面积及细孔结构能保证载体表面均匀支载活性组分，为催化反应提供场所。但是对于碳化硅而言，存在美中不足，这是因为工业上通常采用Acheson法制备SiC材料，即将粉状的C和SiO₂混合，加热到2000℃以上通过碳还原法得到SiC。该方法制备的SiC为α-SiC，比表面积在0.1~1m²/g，并不适合作为催化剂载体。为了解决比表面积低的问题，目前主要有两个途径：实现高比表面积多孔SiC的制备和对现有低表面积SiC进行表面碳化以获得适合催化应用的多孔表面C层。