ZnTe/CdSe type-II量子点,CdSe/ZnSe Type-I量子点的形貌和光电技术规定性
采用ZnTe/CdSe type-II量子点做光子吸收体,Type-II量子点光生电子和空穴在物理空间上是分开的,处在不同的核壳之中,具有非常宽的吸收范围、非常快速的载流子分离和缓慢的复合过程,这些**的特性使其成为光子上转换吸收体的选择之一;
选用CdSe/ZnSe Type-I量子点作为光子发射体,Type-I量子点光生电子和空穴限域在同一种成分里面,因此光子复合速率快、效率高、荧光量子产率和稳定性高,是作为光子发射体的不二选择。
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Cu夹杂着的InP@ZnSe+ZnS核壳量子点
InP@ZnSeS荧光量子点
InGaP@ZnS荧光量子点
InP/CdS核壳结构设计量子点
InAs/InP量子点
InAs/InP QDs
InAs/InGaAsP/InP量子点
GaP和AlP壳的INP量子点
InAs/InGaAsP/InP叠层组成部分量子点
InP/ZnS核壳量子点
Li,zn金属质正离子掺入的InP量子点(分别是记为Li:InP和Zn:InP)
近红外荧光发的InP量子点
InAs/InP共挂面状量子点
InP/GaP/ZnS量子点
InP与ZnSe基荧光量子点
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