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ZnTe/CdSe type-II量子点,CdSe/ZnSe Type-I量子点的形貌和光学性质
发布时间:2021-07-01     作者:zhn   分享到:

ZnTe/CdSe type-II量子点,CdSe/ZnSe Type-I量子点的形貌和光电化学性质

采用ZnTe/CdSe type-II量子点做光子吸收体,Type-II量子点光生电子和空穴在物理空间上是分开的,处在不同的核壳之中,具有非常宽的吸收范围、非常快速的载流子分离和缓慢的复合过程,这些**的特性使其成为光子上转换吸收体的选择之一;

选用CdSe/ZnSe Type-I量子点作为光子发射体,Type-I量子点光生电子和空穴限域在同一种成分里面,因此光子复合速率快、效率高、荧光量子产率和稳定性高,是作为光子发射体的不二选择。

将这四种量子点半封闭成双量子点风险管理体系,同比上升了半导体设备双量子点资料的上换为夜光使用率。
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考虑到研发上改换荧光的步骤,研发工作员展现出了能才能得到高些电量转换激光的哪几种概率前提条件。共震增进应该**个融合的激光仍处于共震阶段(在 820nm),这这里面又就可依据就像文中2a 如图是是的**次共震带内融合(仅在 820nm 处融合)或依据就像文中 2b 如图是是的带间融合(也在 1064nm 处调用)完成。双激光融合(图2c)与 UC 步骤相近都能增进出重复的源电量转换荧光,但它不是个瞬时步骤,不有在激荧激光处存有融合共震,也就可拿出做对比性。

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Cu夹杂着的InP@ZnSe+ZnS核壳量子点

InP@ZnSeS荧光量子点

InGaP@ZnS荧光量子点

InP/CdS核壳成分量子点

InAs/InP量子点

InAs/InP QDs

InAs/InGaAsP/InP量子点

GaP和AlP壳的INP量子点

InAs/InGaAsP/InP叠层成分量子点

InP/ZnS核壳量子点

Li,zn金属材质阳离子夹杂着的InP量子点(分别是记为Li:InP和Zn:InP)

近红外荧光试射的InP量子点

InAs/InP共手工面条状量子点

InP/GaP/ZnS量子点

InP与ZnSe基荧光量子点

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