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ZnTe/CdSe type-II量子点,CdSe/ZnSe Type-I量子点的形貌和光学性质
发布时间:2021-07-01     作者:zhn   分享到:

ZnTe/CdSe type-II量子点,CdSe/ZnSe Type-I量子点的形貌和光电技术规定性

采用ZnTe/CdSe type-II量子点做光子吸收体,Type-II量子点光生电子和空穴在物理空间上是分开的,处在不同的核壳之中,具有非常宽的吸收范围、非常快速的载流子分离和缓慢的复合过程,这些**的特性使其成为光子上转换吸收体的选择之一;

选用CdSe/ZnSe Type-I量子点作为光子发射体,Type-I量子点光生电子和空穴限域在同一种成分里面,因此光子复合速率快、效率高、荧光量子产率和稳定性高,是作为光子发射体的不二选择。

将这三种量子点围合成双量子点模式,幅宽上提升 了半导体行业双量子点相关材料的上转换成放光效果。
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要论述上装换亮光的操作进程,论述人员管理提供了能才能得到更高些养分光量子的五种将路经。共鸣培养起需要**个融合的光量子仍处于共鸣情形(在 820nm),这这里面又都行按照图甲2a 如图已知已知的**次共鸣带内融合(仅在 820nm 处融合)或按照图甲 2b 如图已知已知的带间融合(也在 1064nm 处开启)做。双光量子融合(图2c)与 UC 操作进程类试都能培养起出相等的高养分亮光,但它是个瞬时操作进程,不牵扯在激亮光量子处留存融合共鸣,也都行拿回去做相比。

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Cu夹杂着的InP@ZnSe+ZnS核壳量子点

InP@ZnSeS荧光量子点

InGaP@ZnS荧光量子点

InP/CdS核壳结构设计量子点

InAs/InP量子点

InAs/InP QDs

InAs/InGaAsP/InP量子点

GaP和AlP壳的INP量子点

InAs/InGaAsP/InP叠层组成部分量子点

InP/ZnS核壳量子点

Li,zn金属质正离子掺入的InP量子点(分别是记为Li:InP和Zn:InP)

近红外荧光发的InP量子点

InAs/InP共挂面状量子点

InP/GaP/ZnS量子点

InP与ZnSe基荧光量子点

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