通过CVD方法生长出高度结晶的多层二硫化钼(MoS2)薄片(图文介绍)
使用CVD最简单的方法生冒出位置析出的多个二塑炼钼(MoS2)薄片(图文设计简单介绍)
具有本征带隙的二维MoS2由于其在电子和光电子器件方面的潜力而引起了科研学着关注。 但是,由于这种材料的迁移率相对较低(甚至低于多晶硅),这大大地阻碍了其迈向实际应用。目前已经有一系列针对单层MoS2的研究,但是与此同时多层MoS2的研究相应的有所缺失。然而实际上,由于具有较高的态密度,多层MoS2具有比单层MoS2高得多的迁移率和驱动电流,这使得多层MoS2在薄膜晶体管、逻辑器件和传感器等方面更具应用前景。 然而,到目前为止报道的多层MoS2的**性能是通过机械剥离获得的,这并不适合实际应用,而目前化学气相沉积(CVD)合成的多晶多层MoS2薄膜,显示出低得多的迁移率。
为了推进多层为了推进多层MoS2的实际应用,我们通过CVD方法生长出高度结晶的多层MoS2薄片解决了上述问题。可以实现高达20层的MoS2以良好限定的AA顺序堆叠在一起,而且每层的边缘是原子级平滑的Mo原子锯齿形结构。多层沟道、原子级有序的边缘以及理想的接触几何形状使得这些CVD生长的多层MoS2薄片表现出优于机械剥离多层MoS2的电性能。除了场效应晶体管之外,这些多层MoS2晶体管也适合于构建基于单层-多层MoS2结的整流二极管。
【图文简介】
图2 CVD生长MoS2薄片的层依赖光谱表征
图3 实验制备的多层MoS2的TEM和STEM表征结果