您当前所在位置:首页 > 资讯信息 > 科研动态
通过CVD方法生长出高度结晶的多层二硫化钼(MoS2)薄片(图文介绍)
发布时间:2021-08-17     作者:axc   分享到:
使用CVD最简单的方法生冒出位置析出的多个二塑炼钼(MoS2)薄片(图文设计简单介绍)

具有本征带隙的二维MoS2由于其在电子和光电子器件方面的潜力而引起了科研学着关注。 但是,由于这种材料的迁移率相对较低(甚至低于多晶硅),这大大地阻碍了其迈向实际应用。目前已经有一系列针对单层MoS2的研究,但是与此同时多层MoS2的研究相应的有所缺失。然而实际上,由于具有较高的态密度,多层MoS2具有比单层MoS2高得多的迁移率和驱动电流,这使得多层MoS2在薄膜晶体管、逻辑器件和传感器等方面更具应用前景。 然而,到目前为止报道的多层MoS2的**性能是通过机械剥离获得的,这并不适合实际应用,而目前化学气相沉积(CVD)合成的多晶多层MoS2薄膜,显示出低得多的迁移率。

为了推进多层为了推进多层MoS2的实际应用,我们通过CVD方法生长出高度结晶的多层MoS2薄片解决了上述问题。可以实现高达20层的MoS2以良好限定的AA顺序堆叠在一起,而且每层的边缘是原子级平滑的Mo原子锯齿形结构。多层沟道、原子级有序的边缘以及理想的接触几何形状使得这些CVD生长的多层MoS2薄片表现出优于机械剥离多层MoS2的电性能。除了场效应晶体管之外,这些多层MoS2晶体管也适合于构建基于单层-多层MoS2结的整流二极管。

【图文简介】

图1 分解区别总层的数量的MoS2薄片

image.png

a)施用弧形氧化发应Mo箔身为发应前体CVD种植MoS2的关心图。b)滋生化合物的大尺寸大小光学仪器画像,展示了15-20层MoS2MoS2的滋生,劳动生产率≈70%,身材比例尺:50μm。c-f)CVD的生长的编织成单层、5层、8层或是17层MoS2薄片的光电器件画像。g,h)12层MoS2的光电形象同时AFM形象,但其中MoS2具备着≈20μm的棱长。i)如图的是g)中MoS2样本的拉曼mapping 图像文件,其都具有在404cm -1处的峰。j) 该MoS2样本的PL mapping 图片,其峰峰值在1.80eV峰处。c-j)中的此例尺均为5μm。


图2 CVD生长MoS2薄片的层依赖光谱表征

image.png

a) 分开 是1,2,3,4,6,9和10层MoS2的光电图象。比例表尺:5μm。b-d)分别是相匹配的a)中MoS2薄片的拉曼、PL和SHG谱。e)E2g1、A1g拉曼摸式的层根据频点举例差别的。f)层根据性PL峰定位和比强度。g)层根据性SHG强。


图3 实验制备的多层MoS2的TEM和STEM表征结果

image.png

a)悬浮按钮在多孔碳TEM网格上的CVD发展的层层MoS2薄片TEM图文。比例表尺:1μm。在a)图内小高层MoS2上箭头的1和3的SAED图象分开如b)图和c)图如下。d)STEM-HAADF形象、e)另外一只个双层MoS2薄片(提供产品信息)1-2层边缘处的模似形象。蓝和浅黄色球各自数字代表Mo和S电子层。正比尺:1nm。f)从左到右对应是1至8层MoS2的STEM-HAADF摸拟影像。比列尺:1nm。g)AA堆叠的多个MoS2的电子层团节构。面内Mo-S键的位置一样的,层顶的S电子层团与底部的六角形主相同。


图4 CVD生长期的两层MoS2薄片的电学稳定性

image.png

a,b)双层以上机械厂分离MoS2和CVD滋生的MoS2薄影片中的电学接触的面积代数特征的图示图。c)在1V的偏压下16层MoS2的Ids-Vgs形态。插画:在40V的栅极电压电流下的Ids-Vds曲线方程及元件的电子光学影像。数量尺:5μm。d)栅极电阻值为0V时测量方法的1-8层MoS2结的Ids-Vds性能。配图:电子器件的光学仪器图形。百分比尺:5μm。pcb电路板层数越多忽略的e)自动化搬迁率和f)Vgs=40V和Vds=1V时感应电流精确测量值的总记数据分析,当中黑色柱提出CVD的生长的MoS2薄片,蓝绿色柱提出机械制造分离的MoS2薄片。

西安pg电子娱乐游戏app 生物供应各种CVD生长材料,产品目录如下:

CVD-PtS2连续薄膜-(多层)

CVD-钨掺杂M1相VO2单晶薄膜

CVD-镧锶锰氧铁磁薄膜-LaSrMnO3

CVD-钛酸钡铁电单晶薄膜- BaTiO3

CVD-MoSe2连续薄膜

CVD-WS2连续薄膜

CVD-GaSe三角形单晶

CVD-GaSe三角形晶体

CVD-WS2多层薄膜

CVD-MoSe2多层薄膜

CVD-PdS2薄膜

CVD-PdSe2薄膜

CVD-二维类石墨烯产品-ALD-Vdw薄膜样品

CVD-MoSe2 单层薄膜

CVD-Sb2Te3 单层薄膜

CVD生长ALD-GaSe薄膜样品

CVD生长MBE-WSe2三角形单晶

CVD生长MBE-WS2三角形单晶

CVD生长MBE-WSe2三角形单晶

CVD-MBE-MoSe2三角形单晶

CVD-WSe2 全覆盖连续薄膜

CVD-WSe2 全覆盖连续薄膜

CVD-2H-MoTe2全覆盖连续薄膜

CVD-一步转移法单层氮化硼薄膜

CVD-SiO2/Si衬底单层氮化硼薄膜

CVD-铜基单层氮化硼薄膜

硅基氮化硼/石墨烯异质结

CVD-PdS2薄膜

CVD-多层氮化硼BN薄膜

CVD-硅基单层氮化硼BN薄膜

CVD-少层氮化硼BN薄膜

CVD-WS2-WSe2面内异质结

CVD-MoS2xSe2(1-x)合金单晶

CVD-PtSe2单层薄膜

CVD-WSe2单层薄膜

CVD-WS2单层薄膜

CVD-SnSe2单层薄膜

CVD-ReSe2单层薄膜

CVD-ReS2单层薄膜

CVD-SnS2单层薄膜

B相二氧化钒VO2单晶薄膜

三氧化二钒V2O3单晶薄膜

M1相二氧化钒VO2单晶薄膜

CVD-三维氮化硼BN泡沫

CVD-三维镍基氮化硼BN泡沫

温馨提示:西安pg电子娱乐游戏app 生物科技有限公司供应的产品仅用于科研,不能用于人体和其他商业用途axc