采用电沉积方法在多孔硅（PS）光电材料上制备了排列良好的ZnO纳米花和纳米片。

用无限循环伏安法（CV）、功率计I-t （I-t）和引路电位差法对火成岩化合物采取了分析方法。

x射线衍射（XRD）分析表明，PS光电材料具有较强的择优取向（1 00），扫描电镜（SEM）观察表明，该镀层由直径约100 nm的纳米花和纳米片组成，在纳米器件和纳米技术中具有潜在的应用前景。

因此，根据开路电位（OCP）的研究，在PS光电材料上生长的ZnO比硅晶片具有更大的光电效应，可以作为光电材料。

用分光光度计可以看出分光光度计对打样定制采取了电子光学带隙在线测量，得以了3.35 eV的带隙。

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