采用电沉积方法在多孔硅（PS）光电材料上制备了排列良好的ZnO纳米花和纳米片。

能够再循环伏安法（CV）、功率计I-t （I-t）和断路电势差法对堆积结果去了研究方法。

x射线衍射（XRD）分析表明，PS光电材料具有较强的择优取向（1 00），扫描电镜（SEM）观察表明，该镀层由直径约100 nm的纳米花和纳米片组成，在纳米器件和纳米技术中具有潜在的应用前景。

因此，根据开路电位（OCP）的研究，在PS光电材料上生长的ZnO比硅晶片具有更大的光电效应，可以作为光电材料。

巧用紫外线可看得出分光光度计对样机实行了光电技术带隙測量，得到了了3.35 eV的带隙。

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