采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在SiO2（110）衬底上制备了光电性能可调的光电材料三元（In1-xAlx）2O3 （IAO）薄膜。

研究了不同In-Al含量x [Al/（In+Al）原子比]对光电材料IAO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。

XRD了解表述，发生变化In含量的的变低，塑料膜由**的立米In2O3框架改变为非晶相。

所有光电材料IAO薄膜均表现出**的光学性能，在可见范围内的平均透射率均超过84％。

当x数值为0 ~ 0.9时，透气膜的光学玻璃带隙可从3.71 eV调配到5.29 eV。随In占比的降底，霍尔迁出率和载流子质量浓度骤降，电阻功率率增长。

最终结果体现了，经由转换in - al混合物，可**地自动调节IAOpe膜的稳定性，得以可用途于短主波长光电科技元器件的提纯。

更大推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

塑炼铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化剂的作用建材(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

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