光电材料|光电性能可调的(In1-xAlx)2O3薄膜的沉积与表征
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2(110)衬底上制备了光电性能可调的光电材料三元(In1-xAlx)2O3 (IAO)薄膜。
研究了不同In-Al含量x [Al/(In+Al)原子比]对光电材料IAO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。
XRD分析一下发现,伴随着In含碳量的降低了,塑料膜由**的立方米In2O3架构变化为非晶相。
所有光电材料IAO薄膜均表现出**的光学性能,在可见范围内的平均透射率均超过84%。
当x值一般选择0 ~ 0.9时,薄膜和珍珠棉的光纤激光切割机的带隙可从3.71 eV调变到5.29 eV。因为In分子量的减少,霍尔搬迁率和载流子酸度增涨,功率电阻率添加。
报告阐明,经过变in - al多组分,可**地调控IAO保护膜的使用性能,导致可软件应用于短光波长光电公司电子器件的制得。
越多推存
meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物
混炼铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉崔化村料(FeTCPP/PbS)
cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)
原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7
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