结合理论计算和实验研究了光电材料MSe2/SnO2 （M = Mo,W）纳米复合材料的光电催化性能。采用密度泛函理论（DFT）计算研究了复合材料的电子结构。

与SnO2材料（1.070 eV）相比，光电材料MSe2/SnO2 （M = Mo,W）纳米复合材料的带隙值分别**降低到0.133和0.008 eV。

居群分析一下反映，上MSe2 （M = Mo,W）与上层SnO2间的电荷量转出能否提高了SnO2产品的光电公司催化剂的作用性能指标。

因此，采用水热法合成了MSe2/SnO2 （M = Mo,W）纳米复合光电材料，并对其进行了XRD表征。采用氟掺杂锡氧化物（FTO）导电玻璃电沉积制备相应电极，测试其光电催化性能。

测试成果体现了，MSe2/SnO2 （M = Mo,W）微米级分手后复合原食材原食材的微电子产品流各分为为4.8和3.0 μA/cm2，电生物学电阻值均小于等于SnO2原食材。从而，MSe2/SnO2 （M = Mo,W）微米级分手后复合原食材原食材是有效的微电子产品催化氧化原食材。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

塑炼铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉崔化板材(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

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