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光电材料|MSe2/SnO2 (M = Mo,W)纳米复合材料的制备及其光电性能
发布时间:2021-12-23     作者:光电材料   分享到:

结合理论计算和实验研究了光电材料MSe2/SnO2 (M = ;Mo,W)纳米复合材料的光电催化性能。采用密度泛函理论(DFT)计算研究了复合材料的电子结构。

与SnO2材料(1.070 eV)相比,光电材料MSe2/SnO2 (M = Mo,W)纳米复合材料的带隙值分别**降低到0.133和0.008 eV。

居群探讨意味着,上MSe2 (M = Mo,W)与最底层SnO2直接的带电粒子转回会提高自己SnO2板材的光電催化氧化使用性能。

因此,采用水热法合成了MSe2/SnO2 (M = Mo,W)纳米复合光电材料,并对其进行了XRD表征。采用氟掺杂锡氧化物(FTO)导电玻璃电沉积制备相应电极,测试其光电催化性能。

试验但是反映,MSe2/SnO2 (M = Mo,W)奈米级挽回产品的光电材料涂料流依次为4.8和3.0 μA/cm2,电电学特性阻抗均值为SnO2产品。因,MSe2/SnO2 (M = Mo,W)奈米级挽回产品是非常好的的光电材料涂料催化反应产品。

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