科研管理师体现了利用咔唑基二氰基苯 (CDCB) 建材的设计的概念制约，就是一些由俩个分组名成的系统性，

即咔唑看做供体模快和二氰基苯看做肾上腺素受体模快，二者之间充分歪斜，引发 HOMO 和 LUMO 这部分区域化区分在一个这部分上关注到小的 Δ ;E ST。TADF的材料涉及到2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph，确认消减推动电流来从而提高的设备的速度速度。

于是，Seino醉鬼。可以利用率4CzIPN组建一名制作有载流子和激子禁止各种发源激基复合材料物的正能量传递的配件，以组建有少于 100 lm W -1的高热有效率有效率的绿色的 OLED 。这一种性能参数可与有铱基变色化学物质的 PHOLED 相匹敌。

Masui在2CzPN 中提示 出 S 1和 T 1 –T n吸收率直接的更显光谱仪交叠，这在明显单线态激子规格的条件下讲解了为 STA 和 TTA 新长效机制的激子猝灭新长效机制负责任明显的冗余量子速度 ( η EQE ) 滚降情形。

Kretzschmar宋江因。从出名的 TADF 荧光团4CzIPN和4CzTPN逐渐，随之出现出单和二卤代随之出现物，结局是低单线态 - 3线态缝隙为 ~0.04 eV（實驗确实），荧光寿命短与因重-卤化物的原子团效果。未报告格式机 资料。

在 TADF 机械中看到的开机运行稳定义性下降概率是由长时间的双重态能量转换动物群使得了不可以的电化学化学作用。建立捕助掺入剂的大ķ ISC〜10 6，4CzIPN-ME，同时一种散发成分2,8-二[吨丁基] -5,11-二[4-（吨-丁基)苯基]-6,12-二苯基萘 (TBRb) 因此在相对高度推广的氨水浓度付款线态增进的4CzIPN-Me和 TBRb相互之间的 Förster 能量消耗迁移，因可TTA 。分为辅助器参杂剂的电子器件屏幕上显示出更长的办公耐用度（色彩饱和度越来越低到初使色彩饱和度的 0.5 的时期）。

中国传统应用场景 TBRb 的 OLED 元器的壽命为 5 几小时，应用场景4CzIPN-Me的 TADF 集成电路芯片为 1472 小，有帮助夹杂着剂的 TADF 集成电路芯片（成为 TAF 集成电路芯片）为 3775 小。于是就可以操作有着更短什么是四大态壽命的帮助荧光团来保证安装稳定义高性。

表 2 配位高分子和枝条状咔唑基 TADF 发射点体

决定性	射器	系统多少	重置 (V)	L cd m -2	CE (cd A -1 )	PE (lm W -1 )	情商 (%)	CIE ( x , y )	HOMO (eV)	LUMO (eV)	(nm)	电磁炉 (nm) (QY)	磁感应 (nm) (TF)	E S 1 (eV)	ë Ť 1（eV）的	Δ E S–T (eV)
L：光亮度；CE：瞬时电流利用率；PE：电源模块学习效率；EQE：外量子质量；TmPyPB : 3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)-苯基][1,1':3',1''-三联苯]-3,3''-二基]双吡啶；TPBI : 1,3,5-三( N-苯基苯并咪唑-2-基)苯；Ca钙; Cs 2 CO 3碳酸铯；Liq 8-羟基喹啉锂。																																																																工商联	ITO/PEDOT:PSS (50 nm)/PAPTC 或 PAPCC (40 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	3.0	554	3.6	3.67	1.34	0.25, 0.47	-5.38	−2.57	—	472  (9  )	487 (8)	—	—	—
PAPTC	2.6	10 251	41.8	37.1	12.63	0.30, 0.59	-5.33	−2.77	—	510  (22  )	510 (28)	—	—	—
李几人。	pCzBP	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/10 wt% pCzBP:TCTA:TAPC 融合物 (40 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (80 nm)	6	5100	24.9	9	8.10	0.28, 0.43	−5.41	−2.76	307, 361	472 (28)	508 (23)	—	2.69	0.18
树皮状 TADF 发射成功器
阿尔布雷希特等。	G2TAZ	ITO/PEDOT:PSS (30 nm)/GnTAZ (35 nm)/TPBI (40 nm)/Ca (10 nm)/Al	3.3	—	—	—	2.40	0.251, 0.493	−5.76	−3.01	—	—	—	2.77	2.74	0.03
	G3TAZ		3.5	—	—	—	3.40	0.266, 0.485	−5.72	−2.97	—	—	—	2.79	2.74	0.06
	G4TAZ	与这些差不多的的设备如何设计	3.5	—	—	—	1.50	0.232, 0.368	−5.68	−2.8	—	—	—	2.86	2.79	0.06
李醉鬼。	CDE1	ITO/PEDOT:PSS (30 nm)/CDE1（电子集成电路芯片 A1–A4）或 CDE2（电子集成电路芯片 B1–B4）(70 nm)/TPBi (40 nm)/Liq (2 nm)/Al	4.8	>10 000	—	—	12	0.38, 0.56	−5.12	−2.54	289, 299, 349	—	520 (77)	—	—	0.11
	CDE2		7.7	>10 000	—	—	5.2	0.32, 0.51	−5.25	−2.69	289, 298, 348	—	499 (75)	—	—	0.15
罗几人。	CzDMAC-DPS	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/EML (40 nm)/TPBI (40 nm)/Liq (1.6 nm)/Al (100 nm)	4.0	—	30.6	24	12.2	0.22, 0.44	−5.24	−2.31	240, 299, 349	498	492	2.95	2.86	0.09
	DCzDMAC-DPS		5.4	—	3.8	2	2.2	0.18, 0.27	−5.18	−2.09	240, 299, 349	484	464	3.07	2.87	0.2
孙醉鬼。	TA-Cz	ITO/PEDOT:PSS/TA-Cz 或 TA-3Cz/TPBI/Cs 2 CO 3 /Al	2.6	25 085	18.2	14.3	5.5	0.41, 0.54	-4.95	-2.31	238, 264, 295, 347, 408	591	56	2.49	2.33	0.17
	TA-3Cz	与出现一样的生产设备几何图形结构的	2.4	23 145	39.0	40.8	11.8	0.39, 0.56	-4.92	-2.28	238, 263, 295, 341, 408	541	71	2.5	2.29	0.2

表3 使用于TADF的咔唑基法律主体物料

参考选取	有机化合物	热重（℃）	Ť 克（℃）	HOMO (eV)	LUMO (eV)	λ (nm)	λ Fl (nm) (QY)	ë Ť 1（eV）的	È 克（eV）的	试射器	装置代数	打开 (V)	CE (cd A -1 )	PE (lm W -1 )	情商 (%)	CIE ( x , y )	L (cd m -2 )
CE：电压电流转化率；PE：电效果；EQE：外量子速度；L：曝光度；TAPC：4,4' - （环己烷-1,1-二基）双（Ñ苯基Np个-tolylaniline）; TCTA：N，N，N-三(4-(9-咔唑基)-苯基)胺；TmPyPB：1,3,5-三（米-吡啶-3-基苯基）苯; α-NPD：4,4'-双[ N- (1-萘基) -N-苯基-氨基]联苯；TSPO1：二苯基氧化反应膦-4-(三苯基甲硅烷基)苯基；TPBi: 2,2',2''-(1,3,5-苯三基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]；DPAC-TRZ 10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-9,9-二苯基-9,10-二氢吖啶；MoO 3：三脱色钼；Poly-TriCz：三咔唑汇聚物；mCPSOB : 3,5-二(咔唑-9-基)-1-苯基磺酰基苯；HATCN：二吡嗪并[2,3- f :2',3' - h ]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈；NPB：N，N'-双(1-萘基) -N，N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺；DPEPO：双(2-(二苯基膦)苯基)醚阳极氧化物质；苯酚：4,7-二苯基-1,10-菲咯啉。2CzPN : 4,5-二(9 H-咔唑-9-基)邻苯二甲腈；4CzIPN : 1,2,3,5-四(咔唑-9-基)-4,6-二氰基苯；CzTPN : 2,5-双(咔唑-9-基)-1,4-二氰基苯；4CzCNPY : 2,3,5,6-四咔唑-4-氰基吡啶；DPAC-TRZ：10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-9,9-二苯基-9,10-二氢吖啶；DMAC-DPS：双[4-(9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶)苯基]砜。																																																																邻-CzCN	350–440	94	−5.74	−2.16	295，328，341	403	3.01	3.58	2CzPN	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/TAPC (20 nm)/TCTA (5 nm)/host:2CzPN (4 wt%, 20 nm)/TmPyPB (40 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) )	5.1	29.23	18.36	14.52	0.17, 0.23	2746
m- CzCN	350–440	121	−5.62	−2.14	296，329，344	403	2.81	3.48	4.8	26.37	16.56	14.98	0.17, 0.26	4992
p- CzCN	350–440	140	−5.59	−2.16	296，332，343	406	2.77	3.43	3.8	14.41	11.12	8.10	0.17, 0.28	7856
李等。	o -CzDPz	333	70	−5.69	−2.16	293、327、340	397	3.02	3.53	4CzIPN	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/TAPC (20 nm)/要素：5 wt% 4CzIPN (20 nm)/TmPyPB (40 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm)	4.8	39.6	23.7	13.7	0.26, 0.54	12 780
	m- CzDPz	350	83	−5.63	−2.13	293、326、341	403	2.83	3.5	4CzIPN		4.5	37.5	22.0	12.1	0.30, 0.57	24 050
	3-CzDPz	378	89	−5.61	−2.21	288, 348	380	2.78	3.4	4CzIPN		3.8	41.1	32.2	13.3	0.31, 0.58	19 890
	米CPDPz	434	140	−5.67	−2.15	292、326、340	407	2.76	3.52	4CzIPN	与上面重复的设施设备如何形式	4.9	37.9	19.8	13.1	0.22, 0.49	12 130
西本宋江因。	锆石	474	—	−6.4	−2.5	287, 315	332	3.00	3.9	CzTPN	ITO/α-NPD (35 nm)/mCP (10 nm)/3 wt%-CzTPN:host (20 nm)/PPT (40 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (80 nm)	4.20	37.2	24.4	15	0.18, 0.45	—
Cho醉鬼。	统计资料	—	—	−6.14	−3.26	236、251、280、291	427	2.71	2.88	4CzIPN	ITO (50 nm)/PEDOT:PSS (60 nm)/TAPC (20 nm)/mCP (10 nm)/DCzDCN:4CzIPN (3%, 25 nm)/TSPO1 (35 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 微米)	3	—	—	26.7	—	—
盖伊醉鬼。	微信营销新闻媒体号	—	110	−5.8	−2.5	—	—	3.02	3.3	4CzIPN	ITO/MoO 3 (15 nm)/Poly-TriCz (50 nm)/mCPSOB:4CzIPN (25 nm)/TPBi (60 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	4.8	81	79	21.5	—	—
金和李	微量分析CP	312	50–60	−6.1	−2.4	—	—	2.9	3.7	4CzIPN	ITO (50 nm)/PEDOT:PSS (60 nm)/TAPC (20 nm)/mCP (10 nm)/(mCP : BmPyPb 1 : 1):4CzIPN (25 nm)/TSPO1 (35 nm)/LiF (1nm)/铝 (200 nm)	—	—	56.6	28.6	—	—
	铅酸铅	—	—	−6.4	−2.7	—	—	2.78	3.7			—	—	—	—	—	—
赵等等。	o- mCPBI	400	130	−5.44	−1.86	324, 338	—	3.00	3.58	4CzIPN	ITO/MoO 3 (5 nm)/TAPC (65 nm)/host:guest (15 nm)/TmPyPb (35 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	3.4	60.4	42.0	18.5	0.27, 0.58	—
	m- mCPBI	394	124	−5.4	−1.84	324, 338	—	2.80	3.56	—		—	—	—	—	—	—
	p- mCPBI	429	141	−5.44	−1.89	324, 338	—	2.71	3.55	—		—	—	—	—	—	—
班宋江因。	TZ-Cz	382	96	−5.2	−2.31	236, 265, 295, 379	535，490	2.8	2.89	自宿主细胞导弹发射器	ITO/PEDOT:PSS (25 nm)/TZ-Cz 或 TZ-3Cz (35 nm)/Cs 2 CO 3 (2 nm)/Al (100 nm)	40.00	20.0	—	6.5	0.24, 0.51	18 200
	TZ-3Cz	407	128	−5	−2.11	238, 263, 293, 379	535，487	2.8	2.89	自寄主释放出器		3.60	30.5		10.1	0.24, 0.51	22 950
班几人。	tbCz-SO	380	80	−5.51	−2.32	235、265、298、350	475,440	2.91	3.19	自宿体发射卫星器	ITO/PEDOT:PSS/tbCz-SO 或 poCz-SO/TmPyPB/Cs 2 CO 3 /Al	5.1	4.0	—	2.6	0.16, 0.19	—
	POCz-SO	410	113	−5.6	−2.41	231, 278, 291, 348	475，458	2.90	3.19	自宿体发射点器		6.1	10.5	—	6.2	0.18, 0.27	—
康抓捕。	ZDZ	—	—	−5.71	−2.19	294, 327, 341	378	2.94	3.51	2CzPN	ITO (50 nm)/HATCN (7 nm)/TAPC (75 nm)/2CzPN 6 wt% host (ZDZ or ZDN) (20 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (1.5 nm)/Al (100 nm)	5.00	10.72	—	18.5	0.17, 0.34	3231
	ZDN	—	—	−5.72	−2.27	294, 341	378	2.92	3.45	2CzPN		4.70	14.29	—	25.7	0.17, 0.34	6366
曹等等。	pCnBCzmme	447	141	−5.31	−2.18	298, 339	463  (51/63  )	2.69	3.13	4CzCNPy	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/(pCnBzmMe 或 pCNBCzoCF 3或 pCNBCzmCF 3 ):4CzCNPy (40 nm)/TmPyPB (60 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (100 nm)	3.2	27.8	16.8	8.8	0.31, 0.60	16 100
	pCNBCzoCF 3	400	165	−5.39	−2.47	289, 327	534  (13/20  )	2.64	2.92			3.7	26.5	13.4	8.0	0.32, 0.61	14 370
	pCNBCzmCF 3	402	134	−5.41	−2.45	285, 358	543  (43/55  )	2.64	2.96			3.3	26.4	13.5	8.0	0.33, 0.60	19 200
崔醉鬼。	29Cz-BID-BT	—	—	−6.01	−2.55	270–300、325、340	360	3.02	3.46	DPAC-TRZ	ITO/HAT-CN (10 nm)/TAPC (35 nm)/host:10 wt% DPAC-TRZ (20 nm)/TSPO1 (10 nm)/TPBi (40 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (120納米)	—	—	—	20.8	0.16, 0.34	—
	39Cz-BID-BT	—	—	−6.07	−2.62	270–300、325、340	360	3.04	3.45			—	—	—	20.4	0.16, 0.34	—
丁等等。	9CzFDESPO	511	191	−6.07	−2.39	341、327、283、263、229	349, 366, 383  (49%)	3.0	3.68	DMAC-DPS	ITO/MoO 3 (6 nm)/NPB (70 nm)/mCP (5 nm)/9CzFxPO:DMAC-DPS (10%, 20 nm)/DPEPO (5 nm)/BPhen (40 nm)/LiF (1 nm) )/铝	3.50	31.3	28.1	16.7	0.15, 0.30	—
	9CzFDPEPO	474	211	−6.07	−2.52	341、329、281、228	349, 366, 383  (58%)	3.0	3.55	DMAC-DPS		3.50	25.1	22.4	13.2	0.15, 0.30	—