科技研究者实现目标了在使用咔唑基二氰基苯 (CDCB) 材料的构思被限，这就是一两个由多部分成小组成的设计，

即咔唑看作供体模块测试和二氰基苯看作多巴胺受体模块测试，两种彼此之间错位，以至于 HOMO 和 LUMO 要素区域化分别为在没个要素上留意到小的 Δ E ST。TADF材料涉及到2CzPN、4CzPN、4CzIPN、4CzTPN、4CzTPN-Me和4CzTPN-Ph，经过减小能够相电压来的提升生产设备的瓦数转化率。

之所以，Seino等等。可能利用4CzIPN建立一设汁有载流子和激子受到限制包括来源于激基复合型物的动能转出的元件，以建立拥有超 100 lm W -1的高电机功率生产率的健康 OLED 。这样的性能指标可与带有铱基发亮物资的 PHOLED 相匹敌。

Masui在2CzPN 中显视出 S 1和 T 1 –T n吸收率中间的明显光谱图从叠，这在明显的单线态激子硬度的实际情况下解释清楚了体系结构 STA 和 TTA 机理的激子猝灭机理有担当明显的的外观量子利用率 ( η EQE ) 滚降行为表现。

Kretzschmar几人。从流行时尚的 TADF 荧光团4CzIPN和4CzTPN开始了，双重性品出单和二卤代双重性品物，结论是低单线态 - 3线态缝隙为 ~0.04 eV（试验确立），荧光人类寿命与随着重-卤化物的原子核负效应。未通知单机器统计资料。

在 TADF 仪器中观察植物到的开机运行比较稳明确减少也许是致使长使用期限的什么是四大态电量动物群导致了不要求的电学的反应。注入配套添加剂的大ķ ISC〜10 6，4CzIPN-ME，、某个导弹成分2,8-二[吨丁基] -5,11-二[4-（吨-丁基)苯基]-6,12-二苯基萘 (TBRb) 因此在髙度优化提升的密度确认收货线态激活的4CzIPN-Me和 TBRb期间的 Förster 动能迁移，这样可TTA 。包函辅助工具参杂剂的集成电路芯片表现出更长的做工作使用的时间（光色彩饱和度变低到初使光色彩饱和度的 0.5 的的时间）。

传统文化通过 TBRb 的 OLED 电子器件的寿命短为 5 一小时，通过4CzIPN-Me的 TADF 功率电子元元器件封装为 1472 个钟头，包含捕助夹杂剂的 TADF 功率电子元元器件封装（称呼 TAF 功率电子元元器件封装）为 3775 个钟头。但是可以使用的享有更短三种态质保期的捕助荧光团来实现目标试验装置比较稳定义。

表 2 缩聚物和树根状咔唑基 TADF 放射体

参考使用	放出器	装置图形	进入设置 (V)	L cd m -2	CE (cd A -1 )	PE (lm W -1 )	情商 (%)	CIE ( x , y )	HOMO (eV)	LUMO (eV)	(nm)	电磁能 (nm) (QY)	电磁感应 (nm) (TF)	E S 1 (eV)	ë Ť 1（eV）的	Δ E S–T (eV)
L：饱和度；CE：工作电流有效率；PE：供电速度；EQE：外量子的效率；TmPyPB : 3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)-苯基][1,1':3',1''-三联苯]-3,3''-二基]双吡啶；TPBI : 1,3,5-三( N-苯基苯并咪唑-2-基)苯；Ca钙; Cs 2 CO 3碳酸铯；Liq 8-羟基喹啉锂。																																																																工商联	ITO/PEDOT:PSS (50 nm)/PAPTC 或 PAPCC (40 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	3.0	554	3.6	3.67	1.34	0.25, 0.47	-5.38	−2.57	—	472  (9  )	487 (8)	—	—	—
PAPTC	2.6	10 251	41.8	37.1	12.63	0.30, 0.59	-5.33	−2.77	—	510  (22  )	510 (28)	—	—	—
李等等。	pCzBP	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/10 wt% pCzBP:TCTA:TAPC 比调物 (40 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (80 nm)	6	5100	24.9	9	8.10	0.28, 0.43	−5.41	−2.76	307, 361	472 (28)	508 (23)	—	2.69	0.18
树技状 TADF 放出器
阿尔布雷希特抓捕。	G2TAZ	ITO/PEDOT:PSS (30 nm)/GnTAZ (35 nm)/TPBI (40 nm)/Ca (10 nm)/Al	3.3	—	—	—	2.40	0.251, 0.493	−5.76	−3.01	—	—	—	2.77	2.74	0.03
	G3TAZ		3.5	—	—	—	3.40	0.266, 0.485	−5.72	−2.97	—	—	—	2.79	2.74	0.06
	G4TAZ	与据此一致的设配平面几何节构	3.5	—	—	—	1.50	0.232, 0.368	−5.68	−2.8	—	—	—	2.86	2.79	0.06
李醉鬼。	CDE1	ITO/PEDOT:PSS (30 nm)/CDE1（集成电路芯片 A1–A4）或 CDE2（集成电路芯片 B1–B4）(70 nm)/TPBi (40 nm)/Liq (2 nm)/Al	4.8	>10 000	—	—	12	0.38, 0.56	−5.12	−2.54	289, 299, 349	—	520 (77)	—	—	0.11
	CDE2		7.7	>10 000	—	—	5.2	0.32, 0.51	−5.25	−2.69	289, 298, 348	—	499 (75)	—	—	0.15
罗宋江因。	CzDMAC-DPS	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/EML (40 nm)/TPBI (40 nm)/Liq (1.6 nm)/Al (100 nm)	4.0	—	30.6	24	12.2	0.22, 0.44	−5.24	−2.31	240, 299, 349	498	492	2.95	2.86	0.09
	DCzDMAC-DPS		5.4	—	3.8	2	2.2	0.18, 0.27	−5.18	−2.09	240, 299, 349	484	464	3.07	2.87	0.2
孙宋江因。	TA-Cz	ITO/PEDOT:PSS/TA-Cz 或 TA-3Cz/TPBI/Cs 2 CO 3 /Al	2.6	25 085	18.2	14.3	5.5	0.41, 0.54	-4.95	-2.31	238, 264, 295, 347, 408	591	56	2.49	2.33	0.17
	TA-3Cz	与所诉一样的装备几何式节构	2.4	23 145	39.0	40.8	11.8	0.39, 0.56	-4.92	-2.28	238, 263, 295, 341, 408	541	71	2.5	2.29	0.2

表3 于TADF的咔唑基主要体现板材

决定性	无机化合物	热重（℃）	Ť 克（℃）	HOMO (eV)	LUMO (eV)	λ (nm)	λ Fl (nm) (QY)	ë Ť 1（eV）的	È 克（eV）的	使用器	仪器怎么样	切换 (V)	CE (cd A -1 )	PE (lm W -1 )	情商 (%)	CIE ( x , y )	L (cd m -2 )
CE：电流量能力；PE：电压使用率；EQE：外量子质量；L：对比度；TAPC：4,4' - （环己烷-1,1-二基）双（Ñ苯基Np个-tolylaniline）; TCTA：N，N，N-三(4-(9-咔唑基)-苯基)胺；TmPyPB：1,3,5-三（米-吡啶-3-基苯基）苯; α-NPD：4,4'-双[ N- (1-萘基) -N-苯基-氨基]联苯；TSPO1：二苯基硫化膦-4-(三苯基甲硅烷基)苯基；TPBi: 2,2',2''-(1,3,5-苯三基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]；DPAC-TRZ 10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-9,9-二苯基-9,10-二氢吖啶；MoO 3：三脱色钼；Poly-TriCz：三咔唑配位聚苯胺；mCPSOB : 3,5-二(咔唑-9-基)-1-苯基磺酰基苯；HATCN：二吡嗪并[2,3- f :2',3' - h ]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈；NPB：N，N'-双(1-萘基) -N，N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺；DPEPO：双(2-(二苯基膦)苯基)醚腐蚀物；苯酚：4,7-二苯基-1,10-菲咯啉。2CzPN : 4,5-二(9 H-咔唑-9-基)邻苯二甲腈；4CzIPN : 1,2,3,5-四(咔唑-9-基)-4,6-二氰基苯；CzTPN : 2,5-双(咔唑-9-基)-1,4-二氰基苯；4CzCNPY : 2,3,5,6-四咔唑-4-氰基吡啶；DPAC-TRZ：10-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-9,9-二苯基-9,10-二氢吖啶；DMAC-DPS：双[4-(9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶)苯基]砜。																																																																邻-CzCN	350–440	94	−5.74	−2.16	295，328，341	403	3.01	3.58	2CzPN	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/TAPC (20 nm)/TCTA (5 nm)/host:2CzPN (4 wt%, 20 nm)/TmPyPB (40 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) )	5.1	29.23	18.36	14.52	0.17, 0.23	2746
m- CzCN	350–440	121	−5.62	−2.14	296，329，344	403	2.81	3.48	4.8	26.37	16.56	14.98	0.17, 0.26	4992
p- CzCN	350–440	140	−5.59	−2.16	296，332，343	406	2.77	3.43	3.8	14.41	11.12	8.10	0.17, 0.28	7856
李抓捕。	o -CzDPz	333	70	−5.69	−2.16	293、327、340	397	3.02	3.53	4CzIPN	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/TAPC (20 nm)/主要体现：5 wt% 4CzIPN (20 nm)/TmPyPB (40 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm)	4.8	39.6	23.7	13.7	0.26, 0.54	12 780
	m- CzDPz	350	83	−5.63	−2.13	293、326、341	403	2.83	3.5	4CzIPN		4.5	37.5	22.0	12.1	0.30, 0.57	24 050
	3-CzDPz	378	89	−5.61	−2.21	288, 348	380	2.78	3.4	4CzIPN		3.8	41.1	32.2	13.3	0.31, 0.58	19 890
	米CPDPz	434	140	−5.67	−2.15	292、326、340	407	2.76	3.52	4CzIPN	与上述内容相似的设施设备爆发的结构	4.9	37.9	19.8	13.1	0.22, 0.49	12 130
西本等等。	锆石	474	—	−6.4	−2.5	287, 315	332	3.00	3.9	CzTPN	ITO/α-NPD (35 nm)/mCP (10 nm)/3 wt%-CzTPN:host (20 nm)/PPT (40 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (80 nm)	4.20	37.2	24.4	15	0.18, 0.45	—
Cho等等。	的数据	—	—	−6.14	−3.26	236、251、280、291	427	2.71	2.88	4CzIPN	ITO (50 nm)/PEDOT:PSS (60 nm)/TAPC (20 nm)/mCP (10 nm)/DCzDCN:4CzIPN (3%, 25 nm)/TSPO1 (35 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 奈米)	3	—	—	26.7	—	—
盖伊醉鬼。	微信朋友圈政府微信公众平台代运营	—	110	−5.8	−2.5	—	—	3.02	3.3	4CzIPN	ITO/MoO 3 (15 nm)/Poly-TriCz (50 nm)/mCPSOB:4CzIPN (25 nm)/TPBi (60 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	4.8	81	79	21.5	—	—
金和李	少量CP	312	50–60	−6.1	−2.4	—	—	2.9	3.7	4CzIPN	ITO (50 nm)/PEDOT:PSS (60 nm)/TAPC (20 nm)/mCP (10 nm)/(mCP : BmPyPb 1 : 1):4CzIPN (25 nm)/TSPO1 (35 nm)/LiF (1奈米)/铝 (200 奈米)	—	—	56.6	28.6	—	—
	铅酸铅	—	—	−6.4	−2.7	—	—	2.78	3.7			—	—	—	—	—	—
赵几人。	o- mCPBI	400	130	−5.44	−1.86	324, 338	—	3.00	3.58	4CzIPN	ITO/MoO 3 (5 nm)/TAPC (65 nm)/host:guest (15 nm)/TmPyPb (35 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm)	3.4	60.4	42.0	18.5	0.27, 0.58	—
	m- mCPBI	394	124	−5.4	−1.84	324, 338	—	2.80	3.56	—		—	—	—	—	—	—
	p- mCPBI	429	141	−5.44	−1.89	324, 338	—	2.71	3.55	—		—	—	—	—	—	—
班宋江因。	TZ-Cz	382	96	−5.2	−2.31	236, 265, 295, 379	535，490	2.8	2.89	自寄主放出器	ITO/PEDOT:PSS (25 nm)/TZ-Cz 或 TZ-3Cz (35 nm)/Cs 2 CO 3 (2 nm)/Al (100 nm)	40.00	20.0	—	6.5	0.24, 0.51	18 200
	TZ-3Cz	407	128	−5	−2.11	238, 263, 293, 379	535，487	2.8	2.89	自寄主发射卫星器		3.60	30.5		10.1	0.24, 0.51	22 950
班抓捕。	tbCz-SO	380	80	−5.51	−2.32	235、265、298、350	475,440	2.91	3.19	自寄主射出器	ITO/PEDOT:PSS/tbCz-SO 或 poCz-SO/TmPyPB/Cs 2 CO 3 /Al	5.1	4.0	—	2.6	0.16, 0.19	—
	POCz-SO	410	113	−5.6	−2.41	231, 278, 291, 348	475，458	2.90	3.19	自宿体导弹器		6.1	10.5	—	6.2	0.18, 0.27	—
康几人。	ZDZ	—	—	−5.71	−2.19	294, 327, 341	378	2.94	3.51	2CzPN	ITO (50 nm)/HATCN (7 nm)/TAPC (75 nm)/2CzPN 6 wt% host (ZDZ or ZDN) (20 nm)/TmPyPB (50 nm)/LiF (1.5 nm)/Al (100 nm)	5.00	10.72	—	18.5	0.17, 0.34	3231
	ZDN	—	—	−5.72	−2.27	294, 341	378	2.92	3.45	2CzPN		4.70	14.29	—	25.7	0.17, 0.34	6366
曹醉鬼。	pCnBCzmme	447	141	−5.31	−2.18	298, 339	463  (51/63  )	2.69	3.13	4CzCNPy	ITO/PEDOT:PSS (40 nm)/(pCnBzmMe 或 pCNBCzoCF 3或 pCNBCzmCF 3 ):4CzCNPy (40 nm)/TmPyPB (60 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (100 nm)	3.2	27.8	16.8	8.8	0.31, 0.60	16 100
	pCNBCzoCF 3	400	165	−5.39	−2.47	289, 327	534  (13/20  )	2.64	2.92			3.7	26.5	13.4	8.0	0.32, 0.61	14 370
	pCNBCzmCF 3	402	134	−5.41	−2.45	285, 358	543  (43/55  )	2.64	2.96			3.3	26.4	13.5	8.0	0.33, 0.60	19 200
崔等。	29Cz-BID-BT	—	—	−6.01	−2.55	270–300、325、340	360	3.02	3.46	DPAC-TRZ	ITO/HAT-CN (10 nm)/TAPC (35 nm)/host:10 wt% DPAC-TRZ (20 nm)/TSPO1 (10 nm)/TPBi (40 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (120纳米级)	—	—	—	20.8	0.16, 0.34	—
	39Cz-BID-BT	—	—	−6.07	−2.62	270–300、325、340	360	3.04	3.45			—	—	—	20.4	0.16, 0.34	—
丁醉鬼。	9CzFDESPO	511	191	−6.07	−2.39	341、327、283、263、229	349, 366, 383  (49%)	3.0	3.68	DMAC-DPS	ITO/MoO 3 (6 nm)/NPB (70 nm)/mCP (5 nm)/9CzFxPO:DMAC-DPS (10%, 20 nm)/DPEPO (5 nm)/BPhen (40 nm)/LiF (1 nm) )/铝	3.50	31.3	28.1	16.7	0.15, 0.30	—
	9CzFDPEPO	474	211	−6.07	−2.52	341、329、281、228	349, 366, 383  (58%)	3.0	3.55	DMAC-DPS		3.50	25.1	22.4	13.2	0.15, 0.30	—