光电材料|离轴4H-SiC晶体基面上位错同步x射线形貌图像的表面弛豫和光电吸收效应
应用场景放电子束追迹作用,建立联系了都是僵化的模仿仿真模式,模仿仿真了离轴4H-SiC氯化钠晶体中基上面位错的掠射数据同步x放电子束形貌对比分析,主要包括基上面位错、偏转螺牙位错和分层位错。
该绘图终合了表面层弛豫滞后相互作用和光电产品代谢滞后相互作用来預測位错相对较。
与传统与现代的X射线追查图形相较,外面弛豫现象直接决定了晶面附近商场衍射的位错进行对比。
在光电技术吸引功能,发生变化衍射光柱在硫化锌内角度的深浅不断增加,摸拟位错价格灵敏度迅速变弱。
经由**浸入深层次配位聚合得到了的净虚拟位错画像文件的**功能与实践地型画像文件上观察植物到的的对比功能有良好的对应性。
厚度分享提示,在那些时候下,来自五湖四海位错正下方空间的衍射x放射性元素会出具已前找不到决定到的30%相比功能。
更大推存
meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物
塑炼铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化氧化物料(FeTCPP/PbS)
cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)
原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7
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