根据电子束追迹原因，成立了程度较高较为复杂的模以仿真仿真模型，模以仿真了离轴4H-SiC晶状体中基上位错的掠射搜集x电子束形貌评测，涉及基上位错、偏转管螺纹位错和结合位错。

该建模方法综上了表面上弛豫不确定性和微电子吸取不确定性来预測位错对比性。

与中国传统的光谱线追综图面优于，从表面弛豫不确定性选择了晶面附进衍射的位错比照。

由微电子吸收的做用做用，伴随衍射散射在多晶体内位址的进一步扩大，模拟仿真位错差别度频频减退。

顺利通过**融入深层次整合有的净虚拟位错图案的**特性与实验操作丘陵地形图案上洞察分析到的做对比特性有更好的关于性。

程度浅析呈现，在有的原因下，来源于位错下边区域内的衍射xX射线能能作为过去并没有采取到的减半比较本质特征。

许多推存

meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

混炼铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化剂的作用村料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7

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