拥有热纯化延缓荧TADF特征的衍生物物PIC-TRZ2,4CzTPN-Ph,2CzPN在元件中的发光字磁效果

热滋养延时荧光(TADF)电子元件中,四线态激子还可以吸收的作用场景卡路里使用返向系间窜越(RISC)生成为单线态激子关键在于放出延时荧光,可望控制100％的内量子学习效率.为具体分析TADF电子元件中电致会亮的宏观体制,

选取4CzTPN-Ph,2CzPN,PIC-TRZ2三种不同带隙的TADF材料制成有机发光器件,测量并分析器件的电致发光磁效应(MEL).

研究发现,尽管这几种TADF器件4CzTPN-Ph,2CzPN,PIC-TRZ2具有增强发光的RISC过程,但它们的MEL曲线却表现出与不具有RISC过程的普通荧光器件相似的线型,这是由于外加磁场只影响极化子对间的超精细相互作用,而并不影响激子间的系间窜越与RISC过程.

可是,这个TADF元件的磁相应力度却会随灌入工作功率的增大而变强,成绩出与硬性荧光元件反而的成果显示,工作功率对四线态激子的建立传输速率单位kt和单线态激子的建立传输速率单位ks的相对的不良影响(kt/ks)被用以表达了这一种反常成果显示.

氰基类的热激活延迟荧光材料

TADF建筑材料2CzPN、4CzIPN 和4CzTPN-Ph

都具有高四线态能级的TADF-OLED行为主体原料PzCz

CzTPN

TADF分子结构DCzDCN

TADF分子式DDCzIPN

半圆构型的TADF材料3DPA3CN

橙色TADF分子式CPC

蓝色TADF分子3CzFCN和4CzFCN

蓝光的TADF碳原子BFCz-2CN和BTCz-2CN

TADF分子式4CzBN、4TCzBN、5CzBN和5TCzBN