基于TADF材料DCPA-TPA、DCPA-BBPA:以蒽为核的有机材料助力实现峰值超过800 nm的高辐射率近红外电致发光
基于TADF材料DCPA-TPA、DCPA-BBPA:以蒽为核的有机材料助力实现峰值超过800 nm的**高辐射率近红外电致发光

这类衍生物(DCPA-TPA及DCPA-BBPA)采用**的生色团蒽作为核心,并保持了氰基及醋蒽并吡嗪的协同效应;
依据进的一步形成芳胺对于光学给体,采用氧大分子内自由电荷量转到工作机制可以让 放光**的红移。依据系统软件探析找到,这种发展物因强列的氧大分子内自由电荷量转到使用才能具备着较高的促进态偶极,这使得DCPA-TPA及DCPA-BBPA在聚集态下的发光光谱会因掺杂浓度的增加而发生**的红移,二者非掺杂薄膜的发光峰均超过800 nm。同时,生色团蒽的引入可以使得DCPA-TPA的S1态保持较高的振子强度,有利于窄带隙的辐射跃迁,DCPA-TPA的非掺杂薄膜具有较高的荧光量子产率(8%)。
能够 单晶硅检验遇到,DCPA-TPA甚为氧分子组成的不好称性演变成了大视角的交叉重合堆积物(X-聚集地)方式。

基于DCPA-TPA及DCPA-BBPA的掺杂器件即可实现发光峰超过700 nm的深红/近红外发光。而非掺杂器件则实现了起峰位于700 nm,峰值超过800 nm的近红外发光。基于DCPA-TPA的非掺杂器件实现了0.58%的**外量子效率。进一步优化器件结构,DCPA-TPA的非掺杂器件可以将**辐射率提高至20707 mW Sr-1 m-2。而采用了更强给体的DCPA-BBPA的非掺杂器件实现了发光峰位于916 nm的近红外发光。



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