基于TADF材料DCPA-TPA、DCPA-BBPA：以蒽为核的有机材料助力实现峰值超过800 nm的**高辐射率近红外电致发光

完成分子式构思和结构类型修改，激发出的2,3-二氰基醋蒽并吡嗪（DCPA）双重性物会完成**的近红外电致发光字。

这类衍生物（DCPA-TPA及DCPA-BBPA）采用**的生色团蒽作为核心，并保持了氰基及醋蒽并吡嗪的协同效应；

用进这一步接入芳胺看作电子元器件给体，充分利用氧碳原子内自由自由电荷转换机能可能使人发光字广告**的红移。用系统探究表明，此类衍化物因热烈的氧碳原子内自由自由电荷转换效应故而应具极大的提升态偶极，

这使得DCPA-TPA及DCPA-BBPA在聚集态下的发光光谱会因掺杂浓度的增加而发生**的红移，二者非掺杂薄膜的发光峰均超过800 nm。同时，生色团蒽的引入可以使得DCPA-TPA的S1态保持较高的振子强度，有利于窄带隙的辐射跃迁，DCPA-TPA的非掺杂薄膜具有较高的荧光量子产率（8%）。

经由多晶硅測試发觉，DCPA-TPA因氧分子框架的改不了称性出现了大层面的交叉的情况推积（X-积聚）格局。

基于DCPA-TPA及DCPA-BBPA的掺杂器件即可实现发光峰超过700 nm的深红/近红外发光。而非掺杂器件则实现了起峰位于700 nm，峰值超过800 nm的近红外发光。基于DCPA-TPA的非掺杂器件实现了0.58%的**外量子效率。进一步优化器件结构，DCPA-TPA的非掺杂器件可以将**辐射率提高至20707 mW Sr-1 m-2。而采用了更强给体的DCPA-BBPA的非掺杂器件实现了发光峰位于916 nm的近红外发光。

图4：DCPA-TPA及DCPA-BBPA的非掺入集成电路芯片构成及耐磨性。

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和谐温馨提升：仅中用科学，不可能中用我们身体研究！uc震惊部zhn2022.01.08