光电材料|CsPbBr3量子点嵌入聚甲基丙烯酸甲酯作为电荷捕获层的非易失性光电存储器
非挥发性有机场效应晶体管(OFET)光电材料存储器由于其特殊的光电存储机制和应用领域。
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惋惜的是,经典的浮闸和隧道口层第二步准备最简单的方法冗杂,有不良影响的于大总面积准备。
一种钙钛矿量子点(QDs)嵌入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为电荷捕获层的非易失性OFET光电材料存储器。
在光或微电子java开发工作和电擦除工作时期,微电子数据存储器能**地积聚和释放出光行成的载流子。
进行波动栅和桥隧层第二步法治建设备的光电公司储存方式器的储存方式性能可与傳統储存方式器相类似。
还有,该的记忆系统设计在展现于冷空气中两个星期后仍兼备好的的补齐时间段和耐久力特性。
因此,采用量子点/PMMA复合光电材料作为电荷捕获层的存储器在光电器件中显示出巨大的应用潜力。
很多推存
meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物
塑炼铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化剂的作用物料(FeTCPP/PbS)
cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)
原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7
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