Lee抓捕介召了2种村料，至少咔唑单元尺寸与苯并呋喃BFCz-2CN和苯并噻吩BTCz-2CN

梅等人研究并介绍了非共轭负感应即吸电子对TADF材料的影响。其中，四氟甲基和五咔唑基取代的TADF材料中包含三氟甲基作为电子受体单元，产生4CzCF 3 Ph和5CzCF 3 Ph用于溶液处理。化合物4CzCF 3 Ph显示蓝色发射，而5CzCF 3 Ph显示较低的 3.9 eV 开启电压，这归因于较高的 HOMO 能级和较高的 2436 cd m 亮度 -2 由于较小的单重态-三重态间隙。

Zhang等人使用了TADF 材料4CzBN和5CzBN（也报告为5CzCN）。探索叔丁基空间拥挤的屏蔽效应，形成4TCzBN屏蔽为5TCzBN，见图。修改导致 Δ E ST的小幅减少，以及振荡器强度 ( f )的增加。这影响了 PL 效率，对 CIE 坐标的修改最小，但将4TCzBN与4CzBN和4.6倍于与5CzBN的器件使用寿命提高了 2.7 倍

唐等人修改了先前的 PHOLED 主体材料 2,3,5,6-四咔唑基吡啶 (4CzPy)，通过在 4 位包含氰基生成4CzCNPy，一种绿色发射体。溶液处理导致具有 TADF 能力和绿色发射的双层器件。

立于DCzIPN TADF食材方案了双反射核DDCzIPN，为了更好地提高了释放出点器本身就和电子器件中释放出点器的光致带光量子转化率。DDCzIPN界面显示出调整的间接量子生产率

咔唑基TADF材料BFCz-2CN，BTCz-2CN，4CzCF3Ph，4CzCNPy，CyFbCz，5CzCF3Ph，CNBPCz，CzBPCN，DDCzIPN的结构式

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