鉴于热刺激启动时间延迟荧光涂料(TADF)和密集促进发亮(AIE)这每种涂料的的不同特质,结合在一起具备有AIE特质的化学物质和具备有TADF特质的化学物质,规划具备AIE和TADF性能方面的新形有机质发亮涂料。各种涂料不只是缓解了以往发亮涂料的ACQ反应,与此同时还敲破了以往发亮涂料激子巧用率25%的禁止,为体现**的电致发亮集成电路芯片提供了打了个种行不通方式。咔唑具备有非常好的空穴传送功能,二苯甲酮不是种经常使用的蛋白激酶标段。

通过改性Ullmann偶联反应、亲核加成、氧化反应等方法设计合成了以咔唑为骨架,二苯甲酮为受体,9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶为供体的D-A-D'型AIE-TADF分子DCPDAPM。该结构通过元素分析,NMR光谱和质谱进行了详细表征。

此外,还系统地研究了DCPDAPM的电子构型,热稳定性,光物理和电化学性质。研究结果表明,DCPDAPM的扭曲构象可以降低π-π相互作用和ACQ效应,小的ΔE_(ST)确保了RISC过程的实现证明了TADF属性的潜力。

凡此种种,该有机化合物在各个THF/水比硫酸铜溶液中的光致带光动作也得知了其AIE相互作用。

通过测试DCPDAPM的荧光和磷光光谱,估算得到了固态下DCPDAPM小的ΔE_(ST),其次,还通过测试该化合物的氧敏感性和温度依赖性进一步证实了它的TADF特性。

总之,DCPDAPM是非常适合应用于发光器件的新型AIE-TADF材料。

制造了基于DCPDAPM作为发光层的非掺杂器件A和按不同比例掺杂于CBP中的器件B、器件C和器件D。并全面地测试和研究了它们的电致发光(EL)性能。其中,非掺杂器件A的亮度为123371 cd m~(-2),电流效率为26.88 cd A~(-1),功率效率为15.63 lm W~(-1),外量子效率为8.15%。掺杂6%的器件B的亮度为67875 cd m~(-2),电流效率为40.68 cd A~(-1),功率效率为25.55 lm W~(-1),外量子效率为13.31%。

掺入10%的元元集成电路芯片封装C的曝光度为89010 cd m~(-2),瞬时直流电压速度为50.14 cd A~(-1),工作功效速度为31.49 lm W~(-1),外量子速度为16.18%。掺入20%的元元集成电路芯片封装D的曝光度为116100 cd m~(-2),瞬时直流电压速度为61.83 cd A~(-1),工作功效速度为40.45 lm W~(-1),外量子速度为19.67%。这样的测试方法结局阐述,非掺入和掺入元元集成电路芯片封装都行为 出了**的EL耐热性。

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