研究了光电材料g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质。

该异质设备构造呈现出来ii型准带排列成，在Γ点有方向带隙（1.75 eV），优势于电子元器件空穴对的**区分，不断增加载流子的时间。

此外，光电材料g-ZnO/α-CNH异质结界面处存在明显的电荷转移，打破了α-CNH的各向异性，进一步提高了可见光范围内的光学吸收。

光电材料zno /α-CNH异质结构具有合适的直接带隙、界面上明显的电荷转移和无毒元素，表明其异质结构在可再生能源和光电器件中具有潜在的环保应用前景。

让我们的运作也从正电荷区域划分的方面防止了异质结的各向喜欢的人朋友或各向同性男问題，并反映破除涂料的各向喜欢的人朋友能够 促进涂料的光电技术功效。

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