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酞菁|改善动力学的酞菁钴修饰BiVO4光阳极的光电化学水氧化
发布时间:2022-02-10     作者:酞菁   分享到:

按照变化CoPc(NH2)4阻抗量,升级优化了CoPc(NH2)4/BiVO4和好催化剂的作用的作用剂的光电材料物理化学(PEC)水腐蚀吸附性。

在5个太阳穴光线下,改善后的2CoPc(NH2)4/BiVO4光学产品参比电极在1.23 V / RHE下的**光学产品流规格为3.02 mA/cm2,分开是纯BiVO4、1CoPc(NH2)4/BiVO4和3CoPc(NH2)4/BiVO4的2.7、1.6和1.4倍。

致使CoPc(NH2)4与BiVO4的协同管理做用,增进了反應动力系统学,关键在于增进了PEC的水脱色特点。

本实验显示,结合催化氧化剂中存有同一个**的CoPc(NH2)4密度,以**装量地升高PEC的分水效果,优秀了CoPc(NH2)4额定负载量对析氧反應的后果。

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