在1个电子电子器材上满足诸多电子器材的立式单支结合系统以经成了能克服物料和物理上的上的效果的基本上限定的一个有出路的工艺，可以通过结合系统解決情况报告，供应了根据其相容物理上的上的特点的奇特有机会，以**延长电子器材效果。

再此，我们大家设定好几个种深红外光谱有光场效应管(DUV LED)，并集变成由p-GaN/本征GaN/n-GaN (p-i-n GaN)组成部分组成部分的乘性微电子转化成器(MPC)，以引导电光转化成，可以大大的延长空穴传递的效率。

在这种p-i-n GaN结构特征**采用吸引DUV光，但是会产生光电子空穴对，做到空穴增涨器的角色。

在p-i-n GaN构成中，迎新成的电子无线-空穴对**被电磁场分割，使几个空穴被驱动安装到几个量子阱中，**促进会了反射包覆，然后达成了21.6%的高壁塞热效率(WPE)。

与传统的的DUV led好于，WPE促进了60倍。文中所操作说明的片式集成系统攻略为联合开发**出现发亮电子元件出具了总体目标。

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