利用**性原理研究了本征型光电材料TiO2和不同(Nb, N)共掺杂摩尔比下的单元电池结构、缺陷形成能和光电性能。

**，计算和分析了本征光电材料TiO2和各掺杂体系的晶体结构和缺陷形成能。

察觉时间推移Nb参杂量的加剧，方胞体占地和建立能也加剧，但在富氧环镜下更加容易建立不足。

然后，计算分析了本征光电材料TiO2和各掺杂体系的电子结构、密度状态和光电性质。

遇到Nb使费米能级入驻导带(Nb, N) co-doped二被氧化钛,Nb信息内容的增长使其组成两个N型光电器件电子技术有机废气浓度较高,和N**的干扰以减少了禁带宽的配置度和增长光消化吸收常数。

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