简易的有机溶剂热法提炼了不一样Zn/Cd标准的ZnxCd1-xS/N-GQDs和好相关材料。

简介了Zn/Cd比和N-GQDs对ZnxCd1-xS/N-GQDs能力的导致。

结论呈现，确认转换器Zn/Cd此例不错转换器和好产品的晶状体架构和光电公司耐腐蚀性。随之Zn硫含量的提升，ZnxCd1-xS/N-GQDs和好产品由六方架构转变成为立方米米架构，衍射峰处在六方相CdS和立方米米相ZnS当中。

直接，使用缓解Zn/Cd测值，光电科技流出现异常和电物理化学电阻值含有优良的能调性。

Zn0.9Cd0.1S/N-GQDspp产品具较高的微电子流值3.79 μA cm−2和较低的接面抗阻，好于各种Zn/Cd比率的ZnxCd1-xS/N-GQDspp产品。

不但，N-GQDs的产生比较突出增长了半导体材料的微电子机械性能。

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