在双轴拉申应变力为0% ~ 5%的前提下，应用场景导热标准值泛函方法论装置核算了掺铁二维GaN的产生能、准带机构、介电指数函数值、溶解标准值、条件反射率标准值和损耗量指数函数值，并详情解析了带隙變化的机制。

报告认为，近年来双轴弯曲弹簧应对的加大，Fe-N和Ga-N的键长呈波形延长，带隙呈第二次不同。报告认为，二维GaN: Fe是一种种可以带隙半导体芯片，其带隙分类中受双轴弯曲弹簧应对的关系。

未应力应力速率2D GaN: Fe的动态导热数值为28.6，现在双轴拉长运动应力应力速率的加剧，2D GaN: Fe的导热数值不断开展，干扰2D GaN的电势储存方式数量:现在应力应力速率的不断开展，Fe开展，寄托在电阻不断开展，降解数值、折射率率和耗用数学函数的顶值不断开展，发现双轴拉长运动应力应力速率会非常严重干扰二维GaN: Fe的光学反应机械性能。

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