一维氧化物锌(ZnO)納米棒含有充分的電子变更效果，含有广阔无垠的微电子或光化学上的应用市场前景。

但，可以说光消化差和外面正电荷快速的塑料是其宣传推广app的问题。在本做中，等化合物体金納米a粒子(Au NPs)和媒质脱色硅(SiO2)的堆积在脱色锌納米棒的外面，以调正其光電使用性能。

金奈米再生颗粒的局域表皮上等阳离子体震荡将代谢光谱图扩张到由此可见区。介电质SiO2层表皮上钝化**了光激电子厂-空穴包覆。顺利通过对的结构的合理性积份，看见介电隔断层(ZnO-SiO2-Au)更具很大的光電流可以改善。

而媒质壳层(ZnO-Au-SiO2)具备**的光电科技流提高成果，比其他的涂膜高约4-28倍。提高的效果归因于其**的环境空间区分光学-空穴对和改进的光消除本质的合金-半导体材料模式。

该策略性为高特点光采集外置天线的生产制造提供数据了新的个人观点，合为太阳队能有源装置的规划打下了前提。

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