六方氮化硼（h-BN）也是种二维层状移动宽带隙绝缘层素材，其的型式与石墨烯素材相近，但带隙到达~6 eV。它不但还有普通二维素材还有的能外，如平面磨二维的型式、表明还有分子级十分平整，不可能着挂在键和陷进带电粒子等，h-BN还还有独家且**的测力、电化学、热安全, 双曲光电能及声子产生振动能，但是在非曲线光电这个领域、紫外线激光行业器/试探器、近场光电/三维三维成像、同时守护层素材多上还有大平数的用途。虽然，h-BN能以为介电层、隧穿层、守护素材与别的二维素材具有异质结，导致体出现各类新奇的能，在光/电子技能集成电路芯片多上用途。当下，虽多个晶圆级（44英寸）平数的h-BN多晶硅bopp塑料膜的发展的例子，但在发展的基本原理、技能、的工艺、防具等多上，均达不到熟透，尤为在大平数多晶硅bopp塑料膜的发展机理、监测方式 、异质的型式等多上。虽然，h-BN看做兴盛声子素材和非曲线的联系素材，在单电子束使用、近场光电三维三维成像、双曲透镜等多上初相遇问题，但是遭受了学术研究界和工艺界的选择性受到重视。

哈尔滨工业大学材料科学与工程学院/“微系统与微结构制造” 教育部重点实验室胡平安教授课题组，自2012年以来，在国内率先开展了针对h-BN的生长机制、调控方法、大面积单晶薄膜的制备等的研究工作，取得了一系列原创性成果。近期受《Adv. Mater.》期刊邀请撰写了题为“ Atomically Thin Hexagonal Boron Nitride and Its Heterostructures”的长篇综述。该综述系统总结了h-BN生长调控和光电子器件应用方面的系列成果（DOI:10.1002/adma.202000769）。文本中做出了表界面显示基本特征管控是大长宽比多晶硅体硅硅硅化聚酯透气膜产生的关键因素，蕴含了h-BN与衬底两者之间的外加密切关系，把握h-BN晶畴倾向共同性是保证质量 大规模多晶硅体硅硅硅聚酯透气膜的重要，汇报归纳归纳法了产生衬底我们对h-BN产生的管控。采用改变复合促使剂多晶硅体硅硅硅晶畴长宽比、安全使用多晶硅体硅硅硅复合、等离子态复合衬底等方案范文，增强多晶硅体硅硅硅聚酯透气膜的长宽比。一同，在多晶硅体硅硅硅聚酯透气膜产生管控的根本上，真接产生一些二维的原料造成异质空间结构造，保证质量异质晴明面显示的不脏已经氧分子级缓冲间，是建筑高安全性能异质结元器的根本，也是探秘新的物理化学问题及规范的的原料服务保障。在h-BN简答异质空间结构造的根本，该综述论文详细说明汇报归纳了h-BN在电学及光电器件子元器中用成效，尤为是h-BN算作非曲线光电器件和声子的原料，所突显出的性感迷人的基本特征和与众不同的优缺点，观点这部分将是h-BN明天用的新方面。

该文献综述做者为北京工业制作业社会“微系统化与微格局制作业” 教导部关键实验所室张甲讲师。