理论研发光电公司对绝对湿度的回应，根据半导体技术pe膜，在高温下理论研发了在snoo₂pe膜上的紫外光(UV)光介导保护装置。

按照丝网彩印法在Al₂O₃柔性板上制取snoo₂膜。使用XRD和FE-SEM对sno₂的结晶结构设计和形貌实施了研究方法。

在三种不同于的偏置的电压下，本次评估方法了snoo₂在固定湿球温度(20% RH)下的UV紫外线光介导光電崩溃。

在2 V偏压下，光電流幅值完成4.58 μA，多于0.2 V偏压下的0.27 μA。

并且测试英文了有差异相相对湿度(20% RH、40% RH和60% RH)因素下的光电材料相应。

导致反映出:光电子流随取决于室内湿度的不断地而变大;为了更好地反映60% RH下snoo₂膜的出现异常瞬时电流值，还测试测试了差异较为相对湿度状况(20% RH、40% RH和60% RH)下的暗瞬时电流值。

为着情况说明等等可是，提出了了对应的也许情况说明。

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