您当前所在位置:首页 > 资讯信息 > 科研动态
晶圆级单晶六方氮化硼单层
发布时间:2020-09-03     作者:harry   分享到:
薄型二维半导体芯片层状物料被表示还可以**映射智能家居控制电路设计结晶管的摩尔法则。阶段二维半导有着的重要性问题是怎么样才能制止在领近电媒介中演变成正电荷散射和trap位点。越发太多的分析是因为,六方氮化硼(hBN)的绝缘带范德瓦尔斯层也可以能提供**的对话框介电性,同時**避免带电粒子散射。那么,怎么样去在晶圆上变现靠谱的单晶体六方氮化硼薄膜和珍珠棉生長就称得上化工上应该确定水平创新的水平困惑。
【成果简介】

台湾国立交通大学的Wen-Hao Chang、台积公司(TSMC)的Lain-Jong Li以及美国莱斯大学的B. I. Yakobson(共同通讯作者)等人联合发文报道了蓝宝石晶圆上成功外延生长单晶六方氮化硼单层。往往实际而言,六方氮化硼一层没办法在高对称轴的铜(111)金属件面达到单通道生长发育。以至于,学习员工却遇外出现 六方氮化硼与铜(111)横排接入(lateral docking)后,可能不断增强六方氮化硼的本质性滋生,并要确保了该本质性滋生是双向的。研究分析还显示,据此准备的单氯化钠晶体六方氮化硼不错集成式到二硫化橡胶钼和二脱色铪相互间用作工具栏层,会大大大大提高氯化钠晶体管的电学能。该科学研究指出,相应适用于生产销售晶圆级单晶硅六方氮化硼的手段为保证 多功能二维电子厂元件确立了基本知识。2020年03月04日,相关成果以题为“Wafer-scale single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on Cu (111)”的文章在线发表在Nature上。
【图文导读】

图1 蓝宝石基质上的铜(111)晶格取向

2 单晶六方氮化硼的生长和原子结构

DFT计算

晶圆级六方氮化硼转移过程的示意图以及光学照片

文献链接:Wafer-scale single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on Cu (111)(Nature, 2020, DOI: 10.1038/s41586-020-2009-2)