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晶圆级单晶六方氮化硼单层
发布时间：2020-09-03     作者：harry   分享到：
超轻薄二维半导体器件层状产品被我认为就能**寻址ibms控制电路纳米线管的摩尔基本定律。日前二维半导体芯片要面对的关健探索是怎样禁止在最靠近电物质中组成自由电荷散射和trap位点。越发越久的探讨证实，六方氮化硼（hBN）的绝缘电阻范德瓦尔斯层会带来**的表层介电性，而且**提高电势散射。显然，怎么样去在晶圆上实行正规的多晶硅六方氮化硼保护膜产生就被选为工业园上须要实行技巧革新的技巧薄弱点。
【成果简介】

台湾国立交通大学的Wen-Hao Chang、台积公司（TSMC）的Lain-Jong Li以及美国莱斯大学的B. I. Yakobson（共同通讯作者）等人联合发文报道了蓝宝石晶圆上成功外延生长单晶六方氮化硼单层。以前理论研究指出，六方氮化硼一层时未在高不对称的铜（111）材料表面能保证 正向生长期。而是，实验工人却事故出现六方氮化硼与铜（111）横排连接（lateral docking）后会，需要改善六方氮化硼的外加发育，并确认了该外加发育是单边的。学习还找到，由此而知制法的单晶硅六方氮化硼也可以整合到二硫化橡胶钼和二防氧化铪相互最为接面层，就能洋洋加强氯化钠晶体管的电学使用性能。该探讨会认为，此种可以用在于生产方式晶圆级单晶硅六方氮化硼的方式为进行新式的二维智能元器尊定了基础理论。2020年03月04日，相关成果以题为“Wafer-scale single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on Cu (111)”的文章在线发表在Nature上。
【图文导读】

图1 蓝宝石基质上的铜（111）晶格取向

图2 单晶六方氮化硼的生长和原子结构

图3 DFT计算

图4 晶圆级六方氮化硼转移过程的示意图以及光学照片

文献链接：Wafer-scale single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on Cu (111)（Nature, 2020, DOI: 10.1038/s41586-020-2009-2）