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晶圆级单晶六方氮化硼单层
发布时间：2020-09-03     作者：harry   分享到：
薄款二维半导体行业层状装修材料被因为就能**扩大一体化电线结晶管的摩尔热力学定律。现下二维半导体行业遇到的重要的挑戰是怎么样以免 在领近电导电介质中建成正电荷散射和trap位点。越变多的钻研说明，六方氮化硼（hBN）的电绝缘范德瓦尔斯层就可以出示**的表层介电性，同時**增多电势散射。虽然，要怎样在晶圆上实行信得过的单晶硅六方氮化硼溥膜种植就作为产业上要通过的技术革新的的技术困惑。
【成果简介】

台湾国立交通大学的Wen-Hao Chang、台积公司（TSMC）的Lain-Jong Li以及美国莱斯大学的B. I. Yakobson（共同通讯作者）等人联合发文报道了蓝宝石晶圆上成功外延生长单晶六方氮化硼单层。以来基本原理人为，六方氮化硼单面是没办法在高不对称的铜（111）轻金属界面体现单一衍生。只不过，研发工作人员却交通意外看到六方氮化硼与铜（111）双重联结（lateral docking）在这之后，会资料六方氮化硼的外加成长，并提高了该外加成长是单方面的。科学研究还发现，由此可见制得的多晶硅六方氮化硼会集成化到二塑炼钼和二空气氧化铪两者之间是网页层，都可以很大增加氯化钠晶体管的电学使用性能。该探索判定，这个能够用于生产销售晶圆级多晶硅六方氮化硼的步骤为保证多功能二维電子电子原件决定了核心。2020年03月04日，相关成果以题为“Wafer-scale single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on Cu (111)”的文章在线发表在Nature上。
【图文导读】

图1 蓝宝石基质上的铜（111）晶格取向

图2 单晶六方氮化硼的生长和原子结构

图3 DFT计算

图4 晶圆级六方氮化硼转移过程的示意图以及光学照片

文献链接：Wafer-scale single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on Cu (111)（Nature, 2020, DOI: 10.1038/s41586-020-2009-2）