二维氮化镓(GaN)由于其量子效应能产生理想的深紫外发射、激子效应和电子传导功能而受人点赞。但，近年来所兑换的二维GaN只能作为原子薄量子阱或纳米级孤岛的嵌入层存在，限制了对其内在特性的进一步探索。本文报道了可以通过面上氮化反应迟钝在气态塑料上发芽微米换算横截面尺寸的二维GaN单晶，证明了二维GaN具有均匀的增长晶格、的声子尖晶石运动、蓝移的荧光射出和较高的内量子的效率，为重前的基础理论预測保证了同时的物证。种植的二维GaN的电子迁移率为160 cm²V^-1s^-1。这样察觉为二维GaN单晶的潜在光电子应用铺平了道路。

重大成就简单介绍：苏州高校电化学与分子结构科学课职业学院Yunxu Chen, Keli Liu, Jinxin Liu, Tianrui Lv, Bin Wei, Tao Zhang, Mengqi Zeng , Zhongchang Wang and Lei Fu*在表皮氮化响应在液体状态金属材质上发芽廊坊可耐电器有限公司垂直尺寸的二维GaN单晶，并能够得到了比较好的广泛应用目的，立身前的方法论預测供应了随时的离婚证据。涉及到的研究成果以“Growth of 2D GaN Single Crystals on Liquid Metals”为题文章发表在国际英文顶刊JACS上。（DOI: 10.1021/jacs.8b08351）

图片文字讲读：

尿素溶液粉状被搭建在离1区几厘米的地方，而由W箔支撑的Ga球团则放置在2区。2区温度达到1080℃时，熔融Ga在W表面分散，尿素入1区，加热至160℃，并且，能够漆层氮化反馈(SCNR)，在1080℃的液态镓表面形成二维GaN。

二维GaN多晶硅的形貌和耐腐蚀阐述。

1. 二维GaN硫化锌的AFM图相，根据的机的薄厚布置。

2. 二维GaN结晶的高判断电子散射电镜形象，薄型五边形。

   (C)六方GaN多晶硅EDS设计数据分析，Ga和N的不规则分布图。

    

    

    

3. 
   

二维GaN单晶的原子结构,六方紧密配合堆积，构造。

1. GaN纳米线结构设计三维模型。

   (B,C) 沿[0001]面得到的二维GaN晶体的HAADF(B)和BF-STEM(C)图像文件。

   （D）[0001]面的EDS设计元素定性分析。

   (E,F) HAADF(E)和BF-STEM(F)图。([1010]面)

    

二维GaN单晶的表征。

1. 大块GaN和2D GaN晶体的SAED衍射点示图。晶格技术指标增强。

2. 对(A)中衍射点強度具体分析。

3. 大块GaN和厚度为5.2 nm的二维GaN的拉曼光谱。E2峰蓝移（567.2~566.2cm^-1）,强度增加，说明结晶度高。出现A1和E1，由体相光无章散射带来的拉曼偏振使用规定刻上破造成。

   (D)块体GaN和强度为5.2 nm的二维GaN的PL光谱仪，蓝移，更靠到UV紫外线试射区，比强度提生48倍，内量子效应的**提高，并且随着厚度降低。强度还会提升。

二维GaN单晶养成FET（场效果纳米线管）元器件封装来摸索其本征电子元器件性状。

1. 二维GaN FET原理图。

2. 二维GaN晶体场效应管的假彩色扫描电镜图。（以机械设备剥除石墨烯材料透明膜身为碰触性层提升很好的欧姆碰触性）

3. 在V_DS=1V时的I_DS-V_g特性申请这类卡种曲线提额，**的N型导电。

   (D)的不同V_g值下I_ds-V_ds特色线性。统计了其电子厂变更比率为160 cm²V^-1s^-1，开/关比为10⁶。

    

    

   个人总结：

   论文报到了实现表皮氮化反應好地生冒出横面厚度能够达到50μm的高晶二维GaN单晶，并研究了GaN单晶在二维下的特性，如晶格参数增大、特殊声子硫化锌激振方式、蓝移PL发射和提高的内量子的效率等。分离纯化的二维GaN单晶具有很高的电子迁移率。我们的策略为制备具有较大横向尺寸的高晶二维GaN单晶开辟了一条新的途径，不同于块状GaN的特性表明它们对未来的纳米电子学有很大的发展前景。