二维氮化镓(GaN)由于其量子效应能产生理想的深紫外发射、激子效应和电子无线传输属性而更受关注度。以至于，近年来所拥有的二维GaN只能作为原子薄量子阱或纳米级孤岛的嵌入层存在，限制了对其内在特性的进一步探索。本文报道了使用外壁氮化反馈在气态材料上生长发育μm垂直长宽的二维GaN单晶，证明了二维GaN具有均匀的增长晶格、的声子纳米线震动幅度、蓝移的荧光射出和较高的内量子成功率，服务至上前的策略分折带来了了简单的出轨证据。种植的二维GaN的电子迁移率为160 cm²V^-1s^-1。这找到为二维GaN单晶的潜在光电子应用铺平了道路。

工作成效介绍：佛山二本大学药剂学与分子结构科学合理院校Yunxu Chen, Keli Liu, Jinxin Liu, Tianrui Lv, Bin Wei, Tao Zhang, Mengqi Zeng , Zhongchang Wang and Lei Fu*进行从表面氮化的反应在固体合金上种子发芽2um横着尺寸大小的二维GaN单晶，并取得了最好的软件应用目的，服务至上前的原理推测打造了真接的证明。相应重大成果以“Growth of 2D GaN Single Crystals on Liquid Metals”为题公布在國際顶刊JACS上。（DOI: 10.1021/jacs.8b08351）

文字加图片前言：

尿素溶液粉未被放在离1区几厘米的地方，而由W箔支撑的Ga球团则放置在2区。2区温度达到1080℃时，熔融Ga在W表面分散，尿素入1区，加热至160℃，第三，利用表明氮化不起作用(SCNR)，在1080℃的液态镓表面形成二维GaN。

二维GaN多晶硅的形貌和催化探讨。

1. 二维GaN氯化钠晶体的AFM彩色图像，合适的高度分布不均。

2. 二维GaN多晶体的高判定散发出电镜画面，超轻薄正六边形。

   (C)六方GaN单晶硅EDS成分具体分析，Ga和N的均衡分布图。

    

    

    

3. 
   

二维GaN单晶的原子结构,六方融洽沉积构造。

1. GaN结晶体组成三维模型。

   (B,C) 沿[0001]面荣获的二维GaN晶体的HAADF(B)和BF-STEM(C)画像。

   （D）[0001]面的EDS的元素探讨。

   (E,F) HAADF(E)和BF-STEM(F)图。([1010]面)

    

二维GaN单晶的表征。

1. 团状GaN和2D GaN晶体的SAED衍射点示意图。晶格技术参数扩增。

2. 对(A)中衍射点构造定性分析。

3. 一块块GaN和厚度为5.2 nm的二维GaN的拉曼光谱。E2峰蓝移（567.2~566.2cm^-1）,强度增加，说明结晶度高。出现A1和E1，由体相光无章散射因起的拉曼偏振会选择标准暴打破转变成。

   (D)块体GaN和强度为5.2 nm的二维GaN的PL光谱仪，蓝移，更挨近太阳光的紫外线导弹发射区，屈服强度增长48倍，内量子效应的**提高，并且随着厚度降低。强度还会提升。

二维GaN单晶转变成FET（场作用硫化锌管）电子无线元器件来探索性其本征电子无线特质。

1. 二维GaN FET原理图。

2. 二维GaN晶体场效应管的假彩色扫描电镜图。（以物理剥离技术石墨烯材料溥膜看做接觸层收获更高的欧姆接觸）

3. 在V_DS=1V时的I_DS-V_g结构特征曲线拟合，**的N型导电。

   (D)有差异V_g值下I_ds-V_ds特征描述斜率。测算了其电商搬迁率有160 cm²V^-1s^-1，开/关比为10⁶。

    

    

   总结ppt：

   选文简报了借助从表面氮化的反应成功率地生冒出横面规格尺寸能达到50μm的高晶二维GaN单晶，并研究了GaN单晶在二维下的特性，如晶格参数增大、特殊声子尖晶石振功模式切换、蓝移PL发射和提高的内量子工作效率等。化学合成的二维GaN单晶具有很高的电子迁移率。我们的策略为制备具有较大横向尺寸的高晶二维GaN单晶开辟了一条新的途径，不同于块状GaN的特性表明它们对未来的纳米电子学有很大的发展前景。