碲化铟氯化钠晶体indium =elluride crys<<<l In2Te3时期表第 m. Gr族物质类化合物半导体器件。共价键结合实际，有铁离子键化学物质。闪锌矿型结构设计。强度5.7撇/cm3溶点6fi7};。禁带宽起步度 1 . C1eV，寻常为n型钢料。智能电子和空穴挪动率区别为3. 1U 2和5x 10一'm"}( V's)}热一导率1.4W/(rn-It)}采{ 里奇曼法制建设备。采用建设红外侦测器。

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