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Si(100)衬底上滋生InP/InGaAs核壳的结构纳米级线
系统设计GaAsnm线侧墙InAs量子点|Si/Si O2衬底上生形成了In Pnm线
货号 规格 数量 价格
Q-0065661 100mg
1
问价
Q-0065661 250mg
1
咨询价格
Q-0065661 500mg
1
议标
Q-0065661 1g
1
询价采购
Q-0065661 5g
1
议标
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张惠宁销售经理
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业务范围：AIE材料 | 荧光产品 | MOF产品 | 二维纳米 | 糖化学 | 凝集素 | PEG
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产品介绍
西安pg电子娱乐游戏app 生物科技有限公司生产销售“Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线”“基于GaAs纳米线侧壁InAs量子点|Si/Si O2衬底上生长出了In P纳米线”，该产品仅用于科研，如果需要请联系我们
参数信息
外观状态： 固体或粉末
质量指标： 95%+
溶解条件： 有机溶剂/水
CAS号： N/A
分子量： N/A
储存条件： -20℃避光保存
储存时间： 1年
运输条件： 室温2周
生产厂家： 西安pg电子娱乐游戏app 生物科技有限公司
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