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硼烯线缺陷的混合和周期性自组装
发布时间:2020-11-11     作者:wyf   分享到:

硼烯线疵点的混和周期怎么算性自组装流水线

原子结构黏稠禁止内的直接性镶嵌行业使2D建筑材料没有在块体8中分头层。的理论来计算预侧,在最后的角形晶格拥有类似的进行能,但空心五角形(HHS)的有所差异部置的俩个可以borophene多晶型3,4,5。

图1a显示信息了硼在UHV中的Ag(111)上堆积后的亚一层氮烯的STM图形。鲜艳的点对照于一般性现实存在是较少动物群borophene衍生后的小科粒硼1,2,13。考虑到STM成相的植被和自动化架构的卷积,所讲borophene岛屿旅游界面显示为这种成相水平下的塌陷,与之前的报道怎么写共同1,2,13。对待磨合在外壁21和氮化金属质的表面22上的黑色金属的亚双层扩大,还关察到原子核薄岛格局。

仅是,这类岛不一定是与底材的金属,不一定是与底材共价键合的,这与硼烯和银底材充分比较弱的非共价充分帮助有所不同。在STS(d I / d V)图(图1b)中,相同城市的borophene岛被更明白沿海地区主要包括亮域。在440至470°C的底物萌发室温下,终究看到两根不相同的硼烯相,不同相关联于HH酸度为v =  1/6和1/5的v 1/6和v 1/5成分(v = n / N,里面   Ñ是户对一以免三角型晶格的生长率Ñ晶格位点)1,2,13。添加图1给定了硼烷在更宽的工作室内湿度条件内生長的工作室内湿度对应性,该图凸显了如今生長工作室内湿度从350°添加到500°,硼烷从v 1/6到v 1/5的慢慢的接合。C。DFT来计算出现这两大相兼备类似的的电学势,但是兼备类似的的热保持稳定义(v 1/ 6,-6.359 eV氧分子–1;v 1/ 5,-6.357 eV电子层–1(填充图2)),与原先的探究同一3,4。

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图1:原有的硼烷在Ag(111)贴膜上的出现。

a,b,生长的在Ag(111)上的硼苯的态导热系数(DOS)的大的规模STM形貌(a)和STS图(b)。c,d,v 1/6(c)和v 1/5(d)硼芬片的原子核辩别率STM图像文件,行间隙对应为0.54±0.03 nm和0.45±0.02 nm。e,在v 1/6和v 1/5硼芬片的各种角度旅拍的几个STS光谱仪表示出金属材质现象。f,g,B 1的原位XPS光谱分析s(f)和O 1 s(g)的核心内容程度是因为原本的硼烷发芽。STM偏置输出功率(V s)在a和b中为–1 V,在c中为–0.35 V,在d中为–1.2V 。au。

图2a信息显示了STM形貌的环境空间导数图(图2b),该图更清析地提示 出过大的borophene岛由v 1/6和v 1/5薄片根据,暗蓝色和蓝色说明每个人的线弊病下箭头(辅助软件图3中提供了了数字图像放大的数字图像以可以此划分)。在该线障碍v 1/6片差不多于的砖壁成分v 1/5片,这阐明相界线的划分。该相比调举手性地表现在图2c中,其中的v 1/6v 1/5和v 1/5主要被涂成颜色和深黑色,相对应的的线问题被涂成深黑色和颜色。他们线问题的其它影像在补冲图4中打造。也许线通病的溶解度对比较高,但在300 K处同范围的STS镜像表现出面积最小的对比图度(图2d)。DFT核算查证了线弊病的金属制属性(增加图5),这意思着在在常温下对合金金属硼苯的网上性的会影响世界上最大。

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图2:硼苯中会有线异常现象。

a,b,borophene岛的STM形貌(b)的派生图相(a)现示出水平线线缺点的会有。的v 1/6和v 1/5 borophene区图标,和患者每个人的线弊病是由海蓝和橙红色方向箭头前额表示。c,依托于a中的图象,在v 1/6(紫色)和v 1/5(白色)硼苯甲组成域斜线一些缺欠的分布不均的表示图。线一些缺欠的茶汤颜色恰恰相反。d,雷同位置的STS图表明了在borophene片内的最低电子无线比对度。V s  = –0.65 V in b和d。

水分子判别的STM画像如同3a,b图甲中,其中的v 1/6和v 1/5的线缺点区别由橙色和色下箭头标识。同屏在线缺点v 1/6(v 1/5)片材由相互交错(位置合适)绿色(色)已知圆形表述3A,3B,和阐明线缺欠在v 1/6域相仿于象限的v 1/5片,不然亦然。除外,线不足在v 1/6和v 1/5中的行间行距板料为0.45±0.02 nm(认为为d 2)和0.54±0.03 nm(写出为d 1),与v 1/5和v 1/6金属薄板相相同。

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