P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的技术做法

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4H型SiC（4H-SiC）企业产品简述：

六方空间结构的4H型SiC（4H-SiC）更具高临界状态电压击穿电磁场、高网上转移率的其优势，是创造高压力、高温环境、抗辐照电功率半导体设备芯片配件的优质产品半导体设备芯片原料，也是当前綜合稳定性特别好、设备化程度较高、科技完美的3.代半导体器件建筑材料

P型台阶参杂4H-SiC很多层聚酯薄膜同质概念的大致信息

SiC外加膜非货币性资产图：

无定形碳硼SiC的外延性生長的做法包扩左右几样

1)化学气相淀积CVD:（分为CVD和HTCVD高温两种）

2)凝练或力学气相色谱仪传递法PVT（划分Lely熔法/LETI法和升化三文治法）

3)分子束外延MBE

4)液相外延LPE：（又包含Si溶剂和其他溶剂两种）

化学气相淀积CVD法是制造**外延结构的方法。反应器中的压力可以通过气体产生，低压化学气相淀积LPCVD，压力为10~1000mbar，低压可以减小气相成核，SiC一般使用较为广泛。这种方法的产量非常高。外延生长过程中，气相Si和C的比例会影响生长速率、外延层的质量以及杂质的掺入，CVD的一个优势便是可以在生长过程中很好地控制Si/C比。目前，对于SiC外延层仍然存在各种缺陷，从而对器件特性造成影响，所以针对SiC的外延生长工艺需要进行不断的优化，同时整个SiC器件的生产工艺以及设备也是后期不断关注的话题。

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