| 产品 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
| 厚胶 Thick Resist | SU-8 GM10xx系列 | g/h/i-Line | 负性 | 0.1um | 0.1-200 | 具有较大的高宽比，透明度高，垂直度**。 |
| SU-8 Microchem | g/h/i-Line | 负性 | 0.5um | 0.5-650 | 具有较大的高宽比，透明度高，垂直度**。 | |
| g/h/i-Line | 正性 | 1um | 1—30 | 可用于选择性电镀电镀，深硅刻蚀等工艺。 | ||
| NR26-25000P | g/h/i-Line | 负性 | 20-130 | 厚度大，相对容易去胶。 | ||
| 电子束光刻胶 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
| SU-8 GM1010 | 电子束 | 负性 | 100nm | 0.1-0.2 | 可用于做高宽比较大的纳米结构。 | |
| HSQ | 电子束 | 负性 | 6nm | 30nm~180nm | 分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。 | |
| XR-1541-002/004/006 | ||||||
| HSQ Fox-15/16 | 电子束 | 负性 | 100nm | 350nm~810nm | 分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。 | |
| PMMA(国产) | 电子束 | 正性 | \ | \ | 高分辨率，适用于各种电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。 | |
| PMMA（进口） | 电子束 | 正性 | \ | \ | MicroChem，各种分子量，适用于各种电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。 | |
| 薄胶 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
| S18xx系列 | g-Line | 正性 | 0.5um | 0.4-3.5 | 较常用的薄光刻胶，分辨率高，稳定可靠。 | |
| SPR955系列 | i-Line | 正性 | 0.35um | 0.7-1.6 | 进口高分辨率（0.35um）光刻胶，稳定可靠。 | |
| BCI-3511 | i-Line | 正性 | 0.35um | 0.5-2 | 国产0.35um光刻胶，已经在量产单位规模使用。 | |
| NRD6015 | 248nm | 负性 | 0.2um | 0.7-1.3 | 国产深紫外光刻胶，已经在量产单位规模使用。 | |
| Lift off光刻胶 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（μm) | 适用范围 |
| KXN5735-LO | g/h/i-Line | 负性 | 4μm | 2.2-5.2 | 负性光刻胶;倒角65-80°，使用普通正胶显影液显影。 | |
| LOL2000/3000 | g/h/i-Line | / | NA | 130nm-300nm | 非感光性树脂，可以被显影液溶解，作为lift off双层胶工艺中底层胶使用。 | |
| ROL-7133 | g/h/i-Line | / | 4um | 2.8-4 | 负性光刻胶，倒角75~80°，使用普通正胶显影液。 | |
| 光刻胶配套试剂 | 品名 | 主要成分 | 包装 | 应用 | / | / |
| 正胶显影液 | TMAH 2.38% | 4LR/PC | 正胶显影液 | / | / | |
| 正胶稀释剂 | PGMEA | 4LR/PC | 稀释剂 | / | / | |
| SU8 显影液 | PGMEA | 4L/PC | 显影SU8光刻胶 | / | / | |
| RD-HMDS | HMDS | 500ml/PC | 增粘剂 | / | / | |
| OMNICOAT | 见MSDS | 500ml/PC | SU-8增粘剂 | / | / |
光刻胶——高精度光刻的关键
在半导研发范畴，长江上下游电子技术光学元器件原料和机械是的支撑当列业的的关键个部分。长江上下游电子技术光学元器件原料包扩半导研发过 程选用到的其它化学工业原原料，比如硅片、光刻胶及辅助制作原原料、光掩模、CMP 抛光处理的村料、的工艺化学反应品、溅射靶材、 劳动防护有害气体等。各举，光刻胶是拥有**根本道德水准的根本原的村料。
光刻是将电路设计图形图片由掩膜版移转到硅片上，为售后刻蚀生产工艺做安排的全过程。光刻是 IC 造成时候中历时较长、 难易明显的加工工艺产品之一，历时占 IC 制造技术 50%，成本价占 IC 制造技术 1/3。在连续集成ic产生中，通常要对硅片完成上10次 光刻，其关键的流程为洁净、涂胶、前烘、对标、晒出、后烘、定影、刻蚀、光刻胶剥落、阳离子进入等。在光刻 历程中，需到硅片上涂第一层光刻胶，经太阳光线晒出后，光刻胶的物理性能出现的变化，能够定影后，被晒出的光刻胶将被删去，线路多边形图片由掩膜版变动到光刻胶上，再经历过刻蚀工艺技术，构建线路多边形图片由光刻胶变动到硅片上。
光刻胶是光刻工艺设备过重要性的耗材类，光刻胶的线质量对光刻准确度举足轻重性。光刻胶指得完成太阳光的紫外线光、准原子激 光、网上束、阳离子束、X 光谱线等点光源的影响或反射，其降解度的发生发生改变的耐蚀刻物料。随着光刻胶享有光无机化学 灵敏性和防锈蚀的保护性影响，因而经历过吹捧、成像、刻蚀等加工，就能够将微细电源电路图形商标从掩膜版转交到硅片。虽然说光刻胶制作业的效率高，可是技术水平危机高，难用于，难手机截图。
光刻时候提醒图
光刻胶通过应运情况不一样的可分半导体器件光刻胶、LCD 光刻胶、PCB 光刻胶。光刻胶是半导体器件素材该行业链的 素材教学重要环节，上上下游为基础框架纸业素材和精致催化品该行业，中上游为光刻胶提纯教学重要环节，上下游为半导体器件素材制作业，较股票走势场是 电子为了满足电子时代发展的需求，物品用途销售终端。
光刻胶的各种类型：
光刻胶的主要因素有光刻胶环氧树脂材料、光线传感器剂、液体和增添剂。光刻胶环氧树脂材料也是种惰性的缔合物机质，是把他们拿来 将其它的材质聚合在共同的粘牢剂；光刻胶的吸附性、胶膜尺寸等特征参数都由硅橡胶所决定的。光线传感器剂是光刻胶的核 心环节，它对光表现形式的普及能，独特是在紫外线区光的普及能会发生的反响；曝料时段、线光源所散发光源线的刚度都 和光线传感器剂的基本特征就直接有关的。相转移催化剂是光刻胶中余量较大的含量；正是因为光感应剂和增长剂还是固体成分，以便将顾客 更加均匀地涂覆，要将植物的根参与容剂完成析出，造成气态物品，且使之具备好的外流性，可能经过转动方式英文涂布纸 在晶圆表明。修改剂还就可以主要用于的发生变化光刻胶的某种性能，如还就可以顺利通过修改脱色剂来调理光刻胶，使其的发生反射层。
光刻胶的新品种几种多元，因为光感环氧树脂的有机化学结构类型，按技术性可主要包括光汇聚型、光可分解型、光热塑型三种类型。与此同时，正性和负性光刻胶是光刻胶的这两个注重项目，光线照射后变成可溶化合物的为正性胶，变成不容溶化合物的为负 性胶。是因为特性较优，正性光刻胶技术操作更广，但是因为光刻胶要量大，负性胶仍有很大定的技术操作行业。
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