铅卤化物钙钛矿量子点

卤化钙钛矿已被宽泛论述为大光伏充电电池箱用的抗逆性的材料。针对钙钛矿的大光伏充电电池箱较近起到了创紀錄的25.5％的有效率，使想一想与相关完美的太阳能发电能力相提并论。

钙钛矿因之间带隙（E g  = 1.5–1.6 eV），长的载流子外扩散长宽高和高的载流子移迁率而被看作是太阳的光能充电电池的优异产品。卤化钙钛矿的胶体溶液奈米晶胞（QDs）在相稳固性和带隙随意调节性管理方面都还具有别的特色。钙钛矿大多数也被认同是“耐问题的”，这意示着它们之间的确定性偏差并不会当作电子器件/空穴陷进的的情形。在传统的II–VI，III–V和IV–VI半导体材料QD中未了解到本身重要的性质，这让钙钛矿QD在其本身的低隐藏风险体积密度计算方位鹤立鸡群。在这种低体积密度计算的常见问题使配体或较宽的带隙材料对电子无线单单从表面的钝化追求较低了。

即便是胶态钙钛矿QD与同旁内角的大体上积同行物不同于，在常温下表現出明显强化的相平稳性，对于同旁内角的可降解机制尚不清晰。

其实上，卤化钙钛矿和鉴于其的太阳能发电电子元件的长时不稳性，独特是在执行中，作罢为钙钛矿探讨工具栏临的较严峻的状况。更多主观因素会导致钙钛矿用料的可降解，举个例子裸露于较高温度度，光照度，腐蚀工作生态中，愈加是在朝湿工作生态中。要避免这些状况，实验界给出了庞大的奋斗，在另一好地方对多晶贴膜钙钛矿的实验已能够了有效充分的的关系证明。将主要针对每种可用的常见措施来座谈会之前为不断增强针对钙钛矿的QDSC（PeQDSC）的维持性和性价比高性所做的的努力。一个强调于钙钛矿QD素材的自身维持性，这可根据我想推动）组成的建设工程，ⅱ）加工异质节构，iii）上述合成视频历程中的钙钛矿QD外表面配体的应当的选定 ，还有iv）维数控内外制的提升。**种措施低效在改善PeQDSC集成电路芯片上，以列如经由网站优化沉积状系统并主要包括目标的集成电路芯片架构设计来保护英文抗逆性消除体钙钛矿层使用暴力表面氛围的影响到。在如下各节中，将综合考虑钙钛矿QD光降解的根本就愿意，

钙钛矿量子点（PeQDs）还具有一般的的ABX 3化学上的压力容器检验，由角电脑共享[BX 6 ] -八面体的骨架組成，立方米八面体洞眼被A阳阴离子拥有，如下图 8a如图是。无机-硅化物（结合）卤化物钙钛矿享有一下材料：出厂价A-阳阴离子为甲基铵（MA），甲ami（FA）或胍（GA）；二价B-阳阴离子具体是铅（Pb），但也会是锡（Sn）或锗（Ge）；X阴铁离子是氯，溴，碘或我们的女子组合。全硅化物卤化物钙钛矿的不同于是因为我们的A阳亚铁离子为铯（Cs）或rub（Rb）。

a）角互享八面体与隙缝粘贴（在）设计阳正离子中制做的卤化钙钛矿的ABX 3尖晶石结构设计示用意图。b）CsPbI 3单晶体的供热公司学相变：吸取力强的深蓝色α-相是太阳能发电技术应用的较佳相变环境溫度，其塑造环境溫度为360°C。在较低的温暖下，立米对应性被损害，及时膜的的外观仍为棕色，钙钛矿晶胞也会弯曲变形，并命名规则为β相和γ相。下1个相δ相在25°C时转为，其外貌为红色。

通过将结晶规格减慢至微米时间范围，减慢的面能能控制平稳PeQDs手段的CsPbX 3钙钛矿。当纳米级硫化锌尺寸图减小时英文，CsPbI 3的万立方相越发更加稳定定。宣传报道了热注塑形式炼制好几个系列表强弱不一的CsPbI 3 QD（8–16 nm）为了能让将那些量子点划入日光能锂电，应我们要除其较长的隔热配体，而相对 阴正亚铁离子（油酸酯）和阳正亚铁离子（油基铵）配体，此历程有所不为不同的。需要经过层层基性岩基性岩QD的某一层，以此造成更具**电势网络传输作用的膜，接下来选用无水乙酸甲酯（MeOAc）是 抗高沸点溶剂删去前者是。二者可可以通过甲脒盐删去。不同方式 都已经在PeQDSC中通过了的研究，速率满足了创最高记录的16.6％。这样系统是施用阳阴阴离子交易对策加工的，该对策不能Cs 1- x FA x的稳定分解成碘化铅3个量子点在整一个组合成比率（0≤ X  ≤1），这都是是不在多晶的钙钛矿聚酰亚胺膜便捷。

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