量子点-碳基复合材料（ZnO@ZnO QDs/C，石墨烯QDs修饰的核-壳结构的NiO微球）的制备

量子点与碳质的原材料的相结合以挺高电阻率并必免相聚已被相信是挺高存储量和可以改善无限循环增强性和的**手段。过量分析情况汇报形容了备制量子点-碳质复合材料的合成方法。可以区分两种主要方法：一种是前驱体材料在热处理过程后发生反应，直接在碳基材料上生成量子点，另一种常用的方法是通过搅拌，球磨或水热将预合成的量子点与其他材料结合在一起。除此之外，还有许多新颖的方法可以制备具有特定形状或功能的电极，例如原子层沉积法，电纺丝法，微波辅助法等合成方法。另外，并不是尺寸越小的量子点可获得更高的电化学性能，还需要考虑随尺寸减小，更突出的量子限域效应，将会增加电荷传输电阻，同时因为高的比表面能，引起更严重的团聚。

图 1. (a) ZnO@ZnO QDs/C核-壳纳米棒阵列，

(b) 3D多空碳网形式/SnO2 QDs，

(c) Fe3O4 QDs 装饰的MoS2 纳米技术片阵列的合成图片提示图。

图2. (a) 3D SnO2 QDs/石墨烯的柔性结构的示意图和（b）稳定性，

（c）鉴于CuO QDs的nm线电极材料，

（d）石墨稀QDs修饰语的核-壳成分的NiO微球。

图 3. (a) 原子层沉积方法沉积的ZnO QDs/石墨烯，

（b）有地域差异尽寸GeO小粒及在电池充电上的耐腐蚀性地域差异，

（c）石墨稀QDs/MnO2纳米级片的异质结构类型，

（d）电沉淀分离纯化多个纳米材料/Si–CuO QDs电级和（e）系数性能方面，

（f）如何消除静电纺丝制作CuO QDs添加碳納米化学纤维最为无粘接负极。

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阳极氧化锌ZnO量子点

ZnO近UV紫外线反射（反射激发光谱380-400nm）

水阴离子型ZnO量子点

ZnO圆柱状量子点

PMMA遮盖被氧化锌ZnO量子点QDs

PVB-ZnO/CdS组合膜nm离子

ZnO量子点/设计硅纳米级挽回物料

氧化反应锌ZnO量子点-改性酚醛树脂胶树脂胶分手后复合原料

ZnO@GQDs核壳空间结构量子点

ZnO/CdSe@ZnS量子点荧光电极

ZnO/PEMA量子点复合型产品

ZnO量子点/腐蚀纳米建筑材料组合建筑材料

氨基突显的ZnO量子点(ZnO QDs)

NH2@ZnO QDs

巯基修饰语的ZnO量子点(SH-ZnO QDs)

ZnO@(PAA-PEGFA)核/壳nm阿尔法粒子(量子点为核,缩聚物为壳)

3-巯丙基三乙氧基硅烷发泡密封条ZnO量子点

SiO2包覆机的水可溶性ZnO黑色荧光量子点

SiO2同时围绕的ZnO量子点

ZnO量子点外面表达巯基乙酸

水阴离子型荧光硫化锌量子点(ZnO-QDs)

水相法治备出的Mn:ZnSe量子点

ZnO宽禁带半导体设备量子点

恒温高输出脉冲光射量子点-ZnO

Si02/Si衬底上生长的ZnO量子点

蓝红宝石衬底衍生ZnO量子点

抛光剂Si（001）晶片滋生ZnO量子点

水可溶性SiO2包塑ZnO的量子点

正硅酸乙酯岩浆岩围绕SiO2的ZnO量子点

CuO从表面表达ZnO量子点

稀士Sm3+夹杂ZnO量子点

Ag/ZnO量子点pppe膜

ZnO/MgZnO量子点

磷夹杂植物的生长ZnO量子点

乙二胺介导的ZnO量子点

ZnO量子点突显尿酸偏高氧分子

MAA巯基乙酸表达ZnO量子点

无水乙醇饱和溶液中制法出ZnO量子点

Cu夹杂ZnO量子点

PEG突显的ZnO量子点

PEG(聚乙二醇,Mw=2000)淡化的硫化锌量子点

Gd~(3+)/Yb~(3+)夹杂ZnO量子点

PVP增溶配制ZnO量子点

非晶熔融石英衬底上万立方ZnMgO基体中配制六方ZnO量子点

以γ-氨丙基三乙氧基硅烷(ATPES)为表面层掩盖剂水无水磷酸氢的ZnO量子点

负荷ZnO量子点的沙门氏菌纤维板素BC黏结膜

CuO/ZnO量子点异质结

牛血清正血清(BSA)修饰语水可溶ZnO量子点(QDS)

BSA@QDS

核/壳的结构ZnO量子点

ZnO量子点/固化剂硅橡胶混合素材

氧化物反应锌量子点(ZnO QDS)围绕氢氧化物铁介孔二氧化物反应硅納米粒(CMS)

腐蚀锌量子点ZnO负载电阻**阿霉素(DOX)

硫化锌量子点ZnO环境下**紫杉醇、喜树碱

Mg掺入ZnO量子点

乙稀基乙稀基三乙氧基硅烷(A151)增韧ZnO量子点

ZnO-A量子点

的小编zhn2021.03.30