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单晶铜薄膜纳米压痕过程-单晶铜薄膜纳米压痕模拟的不同阶段的图像
发布时间:2021-03-31     作者:yyp   分享到:
图1为单晶体铜pet薄膜奈米凹印模仿的各不相同周期的形象。这其中图1(a)是凹印进程起前的默认值形态,图1(b)是凹印进程的某类前面形态,图1(c)是**压深形态,图1(d)是压头完整卸载掉掉后的形态。从图上就可以知道,在添加进程中只是与金刚石压头遇到上边的两个分子层时有发生的了显然的延性材料和膨胀,并被连续的挤压面上层,堆放于压头边界处,所有分子始终保持添加前的形态没变。压头可达**压入的深度后,展开卸载掉掉,压头学习抬起回来默认值位址。相比较可观的察到,制样经极富的回弹恢复原状正常和膨胀后,**在面上层存附在是一个显然的凹坑,那是可能凹印进程中时有发生的了不能够恢复原状正常的延性材料和膨胀。

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图1产生类产品根目录:锰铋稀土元素(MnBiRE)磁光透明膜二混炼銅銦溥膜二混炼钨粉状润化pe膜二硫化橡胶铼(ReS2)膜二维二塑炼钨贴膜二碲化钛(TiTe2)过渡性不锈钢二硫化橡胶物膜二维碲化铂微米复合膜二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜和珍珠棉CIGSeS/CIGSe黏结保护膜大尺寸大小单双层硒系统分割夹杂着二加硫钨透气膜铜铟镓硒/硫/硒硫保护膜有光找出层的柔软密封性性透明膜锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,缩写为PZT)塑料膜鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 塑料薄膜強介電 Pb(Zr, Ti)O3 胶片强诱电体/高认知度PZT铁电pe膜Bi2-xSbxTe3基热电聚酰亚胺膜MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3pe膜Pb(Zr,Ti)O3--CoFe2O4微米和好贴膜多铁性磁电复合型溥膜聚酰亚胺/nmAl2O3复合型bopp薄膜金刚石pe膜交流电磁控溅射ZnO塑料薄膜WO3-TiO2塑料薄膜超疏水多孔阵列碳微米管塑料膜仿生技术超疏水性树脂透气膜掺锡TiO2挽回胶片TiO2-SiO2超亲水性树脂贴膜铝合金铝离子夹杂着的TiO2pet薄膜纳米级碳棉纤维膜/钴酸锂3D同轴符合膜含氢类金刚石胶片纳米级晶体金刚石碳膜面包结构特征乳白色导电聚酰亚胺膜二维nm多孔石墨稀(3D-npG)胶片高功效的碳nm钎维柔软膜纳米材料基合理导电聚酯薄膜球壳状接连异质机构的3D納米多孔纳米材料(hnp-G)聚酯薄膜高分子聚乙烯腈纳米技术人造纤维聚酯薄膜纳米材料/多孔碳膜yyp2021.3.31