提供一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法
II-VI族类化合物半导体器件的原相关材料技术硫化锌(ZnO)用作第二代半导体器件的原相关材料技术的原相关材料的象征,由于兼有奇特的生物学、检查是否和光学元件耐磨性,正会受到人类越多越宽泛的注意和探索。ZnO兼有宽的带隙、很高的检查是否工作湿度性和热工作湿度性,在豪迈中不可以被硫化,与III一V族氮化物和Ⅱ一VI族硒化物比起,其的原相关材料的固相关性是其他的的原相关材料所始终无法比较的。虽然说繁殖更**的ZnO 还亟需进一个步骤探索,但其用作继II一V氮化物和II一VI族的硒化物,的又一新的宽禁带半导体器件的原相关材料技术离子束器的原相关材料现在已经提示 出其奇特的得天独厚性。过程人类对ZnO的探索还发生开启过程,ZnO一般也是在衬底蓝原石(0001),硅(111),(100)晶上通过本质繁殖。自己主要包括硅衬底植物发芽,既然等级大,其实表明现的电子器件和集合高科技,硅基上的植物发芽才更有有事实意义所在。一直以来MOCVD高科技是可以分离纯化**、大的面积、竖直的概念或多晶pet薄膜,其实再生利用MOCVD 技术,在硅衬底上可以植物发芽 ZnO是常难题的。本**的目地就在于展示一类借助防空气腐蚀锌储存层的生長期多晶硅防空气腐蚀锌贴膜的步骤,该步骤是在衬底硅(001)晶体上主要包括磁控溅射的步骤**的生長期第一层防空气腐蚀锌贴膜,如果在防空气腐蚀锌贴膜上同质概念性的生長期防空气腐蚀锌贴膜;防空气腐蚀锌贴膜沉积状时衬底的平均温度约30 0-3 5 0 ℃,各种负荷约20 Torr,的生長期料厚0 . 5 - 1 . 0 u m。同一改进的生長期能力,如的平均温度、各种负荷的控住,凭借这类保障措施能能在硅衬底上能够得到多晶硅防空气腐蚀锌贴膜,但是**地挺高ZnO概念性膜的产品质量,并挺高的表面的不平度。本**-种用脱色锌缓解层生长期多晶硅脱色锌贴膜的最简单的方法,其特征描述有赖于,以及有以下几点步驟:( 1)取一衬底;( 2)在该衬底上的硅(001)晶表面上利用磁控溅射的工艺高温发育氧化的锌缓冲区层;(3 )在脱色锌降低层上,进行MOCVD工艺常温生长发育脱色锌本质透明膜。进来衬底是大失配硅衬底。之中氧化反应锌单晶硅概念贴膜超低温繁殖的平均温度为3 0 0 -3 5 0 ℃,繁殖压力值为2 0 Torr,繁殖板材厚度为0.5-1.0 u m.这之中的防氧化的锌单晶体硅本质bopp薄膜和珍珠棉的面上滑度为6- 1 0 nm。这之中的防氧化的锌单晶体硅本质bopp薄膜和珍珠棉的XRD曲线图半峰宽为0.3 3 °。但其中空气氧化锌多晶硅外延性膜的PL谱仅有一紫外光会发光峰且半峰宽为2 1.0 3 nm。中仅被氧化锌单晶体概念保护膜的RHEED数字图像为原则条状。




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