分子级尺寸的黑色重金属脱色物和硫族属性化物（混炼物、硒化物并且碲化物等）（如过渡期黑色重金属二混炼物、超导β相FeSe、拓补耐压体Bi2Se3和Bi2Te3或者LaAlO3/SrTiO3）试述异质组成部分具备着充裕的物理上的特质和选用未来，而有近这几年来来获得巨大的特别关注。氧硫族钝化物可视同硫族钝化物和钝化物的比调和桥接，具备着如高载流子渗透率、热电、铁电和超导性等**类型。Bi2O2Se是氧硫族有机化合物族氏的**代表英文，都是种暖空气不稳定性的高载流子迁址性的层状半导体芯片，为下几代数字6电子器件和光学子学获得了新的成功的人。同时，如今Bi2O2Se的探析重要集中授课在大块晶胞和双层聚酰亚胺膜样品管理上，重要其原因是原子团级级体积尺寸的Bi2O2Se胶片的生张还会有惊人挑站。与经典CVD的方法较之，氧分子束本质可能其2D的成长方法和特低的成长效率而在板材的层厚**可控制的成长等层面体出现**的资源优势。除此以外，氧大分子束外加应要求的超长正空自然环境也保护土样的超洁表皮，有利于可以通过观察水大分子pe膜的电子器材的结构。所以，水大分子级板材的层厚的硒阳极氮化合物pe膜的氧大分子束外加的成长尚末保证 。
图1 分子级的厚度Bi2O2Se贴膜的光催化原理
(a) 在（001）倾向的SrTiO3（STO）衬底上本质种植原子团级厚Bi2O2Se贴膜的展示图；
(b) Bi2O2Se的单晶体结构的；
(c) SrTiO3的纳米线构成。
图2 进行MBE产生Bi2O2Se保护膜的**宽度把控好
(a) 以TiO2为中断面的STO肌底的表面上形貌；
(b-e) MBE萌发的、差异尺寸的Bi2O2Sebopp薄膜的AFM形貌；
(c) MBE发展的Bi2O2Sebopp薄膜强度与的生长精力的关系的。
图3 MBE萌发Bi2O2Se的横断面TEM定量分析
(a) Bi2O2Se溥膜与STO间接口的横截面积HAADF-STEM形象；
(b) a图上白框区域性画质的原子结构级辨别率HAADF-STEM图面；
(c) b图下HAADF图案在兼备单轴应变速率量用εxx状态下的几何式相位数据分析；
(d) b该图HAADF彩色图像在具备单轴应对食用量εzz能力下的几何的相位研究；
(e) 由EDS收获的软件界面上Bi、Se、O、Sr和Ti的原子团级辨认率风格图；
(f) 凸显原子结构模形的游戏界面的HAADF-STEM形象。
图4 MBE出现的一款 单胞（1-UC）厚 Bi2O2Sebopp薄膜的电子为了满足电子时代发展的需求，格局
(a) 实现ARPES查重的1-UC厚Bi2O2Se膜的关心图；
(b) 在宽能力超范围内固定能力形状的堆叠图；
(c) 在i) VBM和ii) VBM-0.4 eV频率段处的稳定热量线条的光电科技散发构造图；
(d) 1-UC厚Bi2O2Se膜的反射率；
(e) 在表面能钾夹杂着前（i）和有效的EDC（ii）的可以折射率；
(f) 在外表面钾夹杂着后（i）和有效的EDC（ii）的还能带散射。
顺利通过在二氧化氮文化氛围共产党多效蒸发Bi和Se前轮驱动体满足了氧分子级薄Bi2O2Se聚酯薄膜的MBE繁殖，在改善先决条件下适用2D产生机制特别Bi2O2Se复合膜的**体积尺寸调节也的足以体现。研究方案发掘，MBE萌发的**Bi2O2Se表现出原子结构团级判别的明显对话框和原子结构团排序。确认角判别光电科技子能谱胜利观察分析到MBE种子发芽的1-UC Bi2O2Se塑料薄膜的电子技术成分，深入分析的结果得出结论其体显出0.15 m0的低**产品品质，高的转化率和与小块塑料膜差距严重的带隙展宽。
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