解释几个监测蜂窝状六角片层氮化硼（BN）带隙的工艺

浙江pg电子娱乐游戏app 怪物科技大公司有限大公司英文大公司可以给出各个形貌的氮化硼，无定形碳硼类品牌，石墨稀、MAX等二维材料，提供一些C，O原子掺杂调控氮化硼，各种改性功能化修饰氮化硼复合材料。

是由于六角片层蜂窝状氮化硼（BN）包括之类石墨烯材料的组成部分，BN都是种宽禁带半导体技术，夹杂着需要使其不少原有本质得到转换。現在一款较重要的研发定位就是说如何才能在保持其蜂窝状型式的同样，使BN的带隙才得以下挫，将成为一款**光促使剂。非常完美的光解剂的作用剂的可带带隙长度该在1.8eV到2.3eV两者。

可以通过以下几种方式调控方式使其可带带隙参数在1.8eV到2.3eV间：

1、根据掺入C，O原子团干预

在策略上和时间中六角片层蜂窝状氮化硼确认夹杂C，O共价键都能够 使其带隙进而宏观调控。类似这些掺入在BN资料的的生长全过程中 中和后处里全过程中 中也都能够以保持。最后使半导体芯片中导致杂物能级，提升 常见光的吸纳。

2、选取自加电场强度的方式来管控加厚BN片的带隙至所以光范围内。

多层BN片在上加电场线高低从0慢慢的增加到0.015 au时，带隙进而可能会由4.45 eV大于至0.3 eV，因而可能会成**的光崔化剂。

3、Stone-Wales反位弊病调节作用BNnm条带的光纤宽带隙

Stone-Wales缺陷使得BN纳米带的价带顶（VBM）和导带底（CBM）的占据态发生变化,从而引入了缺陷能级降低了带隙

4、应变力监测BN片的能帶节构:

BN薄膜衬底上时,由于晶格失配,将产生应变。研究表明,BN片的带隙随拉伸应变的增加而线性减小,且其斜率不依赖与BN片的层数。

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