3种架构ZnO基半导微米符合资料--图文设计详细

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ZnO就是种残毒有害、有良好的微电子机械性能的半导体技术崔化剂。但与TiO2相近，基于带隙较宽，只对可以看出光崩溃，且还会继续会出现光物理腐蚀不锈钢，会导致光崔化活力较低。研究探讨认为，挽回、夹杂等均可促进其会出现的原因，提供光崔化活力。

ZnO基纳米复合材料是将ZnO与具有特定性能的无机材料或半导体材料以某种方式结合在一起而构成的复合物。ZnO基纳米复合材料按结构可分为三类:基质/半导体结构如图1(a)、核壳型结构图1(b)以及耦合型复合结构图1(c)。

1. 基质/半导体结构是将ZnO半导体分散在连续基质中形成的纳米复合结构，如图1(a)所示,常用的基质一般具有高的比表面积和吸附能力如碳材料(石墨烯、不定型碳),蒙脱土及沸石等。

举例：Yang 等通过低温湿化学法制备了比表面积大的还原氧化石墨烯(Re-duced Graphene Oxide, GR) ZnO纳米复合材料,在可见光照射下光催化还原Cr6+，该复合物具有良好的可见光光催化活性。机理如图2所示，复合材料中的GR受光引发从基态变为激发态,此间产生的电子注入ZnO的导带中,Cr(VI)可被体系中的光生电子e直接还原为Cr(II)。

2. 复合半导体的核-壳结构,是指以ZnO纳米粒子为核，在其表面完全包覆另外一种不同带隙的半导体形成壳的结构如图1(b)所示，SC表示半导体。举例：以一种ZnO@ZIF-8核壳型结构为载体负载Pd纳米颗粒后经由高温煅烧制得PZZ8-T催化剂(T为不同煅烧温度)，在随后的CO2加氢反应中，PZZ8-T展现出**的甲醇选择性。

3.耦合型复合结构则是指一种半导体以部分包覆的形式附着在ZnO半导体材料上，如图1(c)所示。很明显,核壳型与耦合型复合材料这两种结构只是覆盖的程度问题，然而其表面电荷转移却**不同。图分别表示核壳结构与耦合结构的电荷转移过程。在耦合半导体系统中,两种半导体相互接触，在表面得到空穴和电子，从而发生选择性地氧化和还原过程。而核壳结构在其外表面或者获得空穴,电子被核粒子俘获;或者获得电子,空穴被核粒子俘获。

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