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纳米硅量子点(Si QDs)的发光机制研究
发布时间:2021-07-01     作者:zhn   分享到:

硅量子点(Si QDs)的尺寸一般小于10 nm,由于量子限域效应和表面效应而表现出与体硅材料不同的电子和光学性质,因此硅量子点受到了研究者的关注。

图1 性能表征

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a,依据Gregorkiewicz研究分析组的实验所数据报告,硅量子点外源带隙基态PL带和低能一直带隙PL带随量子点内直径的大小转换的波动。

b,对于那些直徑3,在温差为70 K测出的单量子发光谱仪和消化谱与理论体系运算的结果的比。

c,Gregorkiewicz论述组的检测数据显示显示随量子点急剧减小可以带隙在正能力上发展红移(光谱仪上的红移意思是光波正能力变小,光波可见光波长拉长),该论述的策略然而显示随硅量子点变小,可以带隙无发生了**红移,可是一 点蓝移。

图2  实验设计数值的比

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褐色,紫色和粉色波浪号主要分属于含有一些Γ-显著特点、含有≥10%和≥50%的Γ-显著特点的**动能工作状态。


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