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纳米硅量子点(Si QDs)的发光机制研究
发布时间:2021-07-01     作者:zhn   分享到:

硅量子点(Si QDs)的尺寸一般小于10 nm,由于量子限域效应和表面效应而表现出与体硅材料不同的电子和光学性质,因此硅量子点受到了研究者的关注。

图1 性能表征

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a,给出Gregorkiewicz探析组的实验性统计数据,硅量子点外源性带隙基态PL带和大能会直接带隙PL带随量子点的直径尺寸增加的变现。

b,就尺寸3,在工作温度为70 K测量的单量子发光谱图和融合谱与系统理论估算结局的相对较。

c,Gregorkiewicz研发组的调查数据库指明随量子点减慢简单带隙在势能上更快红移(光谱图上的红移是以电子束势能变小,电子束可见光波长变大),该研发的学说成果指明随硅量子点变小,简单带隙未突发**红移,反而一斜点蓝移。

图2  进行实验统计资料的比

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蓝绿色,红颜色和蓝绿色字母符号各是相应的于更具着不管什么Γ-共同点、更具着≥10%和≥50%的Γ-共同点的**激光能量心态。


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