TADF相关材料中C-N键的只有飞速转动是出现CIE经纬度差值的关键主要原因。弯曲的D-A结构的特征经常会犹豫S1发挥态下的结构的特征弛豫而带来着明显的斯托克斯位移和较宽的光谱仪（>70 nm）。

同时，该类TADF发光分子往往还伴随着缓慢的辐射跃迁速率。为了克服上述问题，科研人员对传统的TADF分子提出了一个新的设计概念，从而可以较为简易的得到传统扭转型D-A型TADF发光难以实现的蓝紫光发光分子以及潜在的TADF激光增益介质。 

图1. 材料的分子结构式 (a) DMACN-B和PXZN-B; 材料的单晶结构图 (c) DMACN-B和(d) PXZN-B; DMACN-B和PXZN-B辐射跃迁能级图。

该设计的核心是将传统的C-N扭转用化学键锁死，通过**分子的振动和弛豫实现了以下三个结果：1.光谱蓝移；2.光谱缩窄；3.辐射跃迁速率提升。所开发的两个TADF发光分子PXZN-B和DMACN-B分别显示出非常小的D-A扭转角（分别为20.8o和28.0o），这表明**的正交D-A结构被大大消除了。得益于增强的分子刚性，PXZN-B和DMACN-B表现出深蓝色（468 nm）和紫蓝色（444 nm）窄谱发射（半峰宽分别为44和29 nm）。

随即，一定的OLED电子器件的CIE作标各为PXZN-B（0.133，0.147）和DMACN-B（0.151，0.045），有时候一个TADF原材料的EQE均少于10％。

此外，由于明显的HOMO/LUMO重叠，它们还获得了超过108 s-1的超快辐射速率，这也使得PXZN-B和DMACN-B两个材料具有较低得放大自发发射（ASE）阈值，因此具有潜在的TADF激光性质。 

图2. (a) 基于DMACN-B和PXZN-B的OLED器件的电致光谱图；(b) 发光光谱的CIE坐标图；(c) 基于PXZN-B和(d) DMACN-B的ASE光谱图。

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含苯甲酰基TADF分子结构

TADF大分子BP-PXZtCz-BP-PXZtCz-PhBP-PXZ当中体tCz-BP-Br在期间体tCz-PhBP-F热活性廷迟荧光(TADF)原子核m-CzTri为咔唑和三嗪單元的TADF紫色荧光分子结构p-CzTri来源于吲哚并咔唑的热致延长荧光有机质电致荧光食材mTRZ-ICz蓝光TADF建筑材料pTRZ-ICz天蓝色光TADF原料mBP-ICz10-苯基-10-(4-(7-苯基吲[2,3-b]咔唑-5(7H-基)苯基)蒽-9-(10H)-酮(DphAn-5PhIdCz)研究背景1,2,3-三唑的OLED建筑材料TAZDCz和蓝光TAZDPXZ红色有光TADF食材OXDDACRD-A型的TADF原材料CCDC和CCDD温磬提升：仅中用科技研究我们zhn2022.01.22