适用高低温溶液热法冶备了均值粒级为4.4 nm的ZnO量子点。

以ZnO QD溶液为原料，采用旋转镀膜技术制备了光电材料ZnO QD薄膜，并分别在250、350和450℃退火。随着退火温度升高至450℃，ZnO的平均晶粒尺寸和能带隙分别由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV增大和减小。

光致发光分析表明，包覆光电材料ZnO薄膜和250℃退火的ZnO薄膜中存在高密度的氧空位;这些缺陷在温度升高到350和450°C时减少。

聚酯透气膜的光电科技功能受晶粒大小图片尺寸和聚酯透气膜中瑕疵的影响到较高。跟随着温差增高到450℃，光暗电流量比(PDCR)从3723有效降低到371%，而回应率从1.25增多到218 mA/W。

as涂覆和250°c降温的透明膜随着其效果更好 的外表面与体积大概比，在PDCR、提高日子和降低日子等方面极具效果更好的光相应，使其当上钙钛矿日头能锂电池中的网上高速传输层。

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