通过水相法合成了一种新型的多巯丙基poss(OctamercaptopropylPOSS，0M-POSS)绘制的CdTe量子点，该量子点的荧光量子产率高可达95%，本文我们讨论了量子点的合成参数如CdTe比例、pH值、NAC/Cd比例等对量子点生长及发光性质的影响，同时对OM-POSS修饰的CdTe量子点的光稳定性和稳定性进行了研究。

OM-POSS修饰的CdTe量子点的制备与纯化在可控合成NAC修饰的CdTe量子点的基础上，我们制备OM-POSS修饰的CdTe量子点，其制备过程如下。

**将0.061g的OM-POSS不能溶解20mL四氢呋喃(THF)中，搅拌装置10min后，逐加入适量入NAC水悬浊液，这其中NAC的量为1.2mmol，此二者掺和10min混合型喂养粗糙后融入1mmol的CdCh2。5H2O常温混和30min，得出含Cd²⁺的前轮驱动体水溶液，后面研究流程与NAC装饰的CdTe同一，表中NAC/OM-POSS20:1。量子点纯化操作过程中，先用THF除了未化学反应彻底的OM-POSS，接着继续使用无水乙醇除了各种的很多免疫试剂及副产品。

OM-POSS表达的高生物制品相匹配性CdTe碲化镉荧光量子点的光谱分析研究方法

OM-POSS修饰的高生物相容性CdTe碲化镉荧光量子点的结构表征

OM-POSS修饰的高生物相容性CdTe碲化镉荧光量子点的透射电子显微镜(TEM)表征

让我们利用率自动化散射自动化体视显微镜(TEM)来评分POSS-CdTe量子点的宽度和形貌，就像文中2.11提示，荧光放出激发光谱在554nm处的POSS-CdTe量子点星均匀生长解聚的近球状，磨料粒度生长较均一，约为2.7nm。

个人心得体会：.我化学合成了OM-POSS淡化的CdTe量子点，还有就是用IR，xPs，EDS等各种测试的手段验证了OM-POSS对CdTe的成就 表达，能够 XRD和TEM研究方法了POSS-CdTe量子点的设计和形貌。UV紫外线不难发现挥发光谱图分析和荧光导弹发射光谱图分析意味着，经历过OM-POSS装饰后CdTe量子点的植物的生长转速显著的下降，这是这导致多巯基的OM-POSS与C8阴阳离子建成了更加稳定定的络合物可致。在紫外线光和有氧区域中，POSS-CdTe量子点能增加比较好的光稳明确性；有时POss-CdTe量子点在保存几六个月后，始终能够 做到很高的荧光硬度，包括极好的稳定可靠性。这是正原因是NAC和OM-POSS两种类型遮盖剂可能与Cf在量子点外壁型成另一层Cd-SH络合物，某一络合物包塑在CdTe量子点从面，可以有*钝化量子点从面，这让量子点控制比较好的发光字广告特性。

碳量子点修饰铁酸镧/凹凸棒纳米复合材料

氮掺杂碳量子点修饰单层钨酸铋复合材料

CdSe/ZnS量子点修饰槲皮素抗菌

Pd量子点修饰氧化钼纳米纤维

碳量子点修饰氧化锌光阳极

ZnO量子点修饰碳纳米管(CNT)

钯量子点修饰氧化锌单晶纳米线

碳量子点修饰葡萄糖氧化酶酶膜

碳量子点修饰聚吡咯纳米阵列材料

碳量子点修饰二氧化钛(TiO2)纳米阵列材料

碳量子点修饰氮化钛纳米材料

硫化亚铜量子点修饰三维花状结构BiOBr复合光催化材料

碳量子点修饰介孔二氧化硅复合材料

Si量子点修饰TiO2电极

CdTe量子点负载ITO玻璃上

量子点修饰纳米ZnO

多级结构硫化钴镍碳量子点复合材料

镍钴锰MOF负载氮掺杂碳量子点

二氧化钌量子点修饰五氧化二钒纳米材料

石墨烯量子点修饰金纳米颗粒

氧化亚铜量子点修饰氧化锌纳米线阵列

量子点修饰TiO2/SiO2/Fe3O4纳米粒子

氧化锌量子点修饰碳纳米管

PVP/CdS量子点修饰电极

聚乙烯吡咯烷酮(PVP)表面修饰硫化镉(CdS)半导体量子点（PVP/CdS）

石墨烯量子点修饰二氧化硅纳米材料

石墨烯量子点修饰Bi2WO6复合材料

黑磷烯量子点修饰石墨烯薄膜

水溶性CdS量子点修饰原位石墨烯无酶葡萄糖