透明度导体（TCs）已是为现化光电材料子车辆（如发光字电感（LED）、触碰屏和可使用网络车辆）不容或缺的组建环节。目前为止，以往的铟锡腐蚀物（ITO）致使具备着高的导电性和散射率（90%散射率时为10Ω/sq），拥有了绝大多数部份的专业市场分额（>90%）。同时，考虑到ITO一直有的自动化贫瘠性、高利润溅射施工工艺、地球上上的铟储量低，能让其在TCs工业化的中的主导性社会价值特别严重消弱。为此，所有五花八门的文件，如合金材料奈米级线（NWs）线上、石墨烯材料（GR）、碳奈米级管和导电汇聚物等，现在已经被丰富研究探讨以转变成ITO做为下一批TCs。在金属材料nm线中，然而银（Ag）具适合的导电性，但铜的价钱比银物美价廉100倍，其导电率仅比银低6%。前者，铜奈米软件系统无线网络拥有低精成本费、低片电阻器、高透光率和高自动化机械标准，这令它在大半年的未来职业当上结合在一起ITO有祝愿的侯选人者一个。
可靠性分析性是光電技术子元件和TCs元件极为重要的耐热性符合要求之五。常见认为，主设备的现场效果工作的阶段并也不是那末梦想和纯静。这么多按照严格前提也许还有高直流电、持续耐高溫、高机械装备性构造、修容构造或高頻率率。那么，Cu-NWs-TCs在区域团队氛围下的飞速防腐蚀、酸碱性溶剂中的防腐蚀和持续耐高溫下的铝热反响已成为推动其操作的主要是弱点。成了解決这么多一些难题，客户设计了GR、防腐蚀微米材料（GO）、金屬、金屬防腐蚀物和整合物成为自我保护层来提生Cu-NWs的可靠性分析性，并媒体宣传报道了GR不锈钢涂层在LED元件中的现场效果操作。但在光電技术元件的外链区域和外部区域等区域前提下，其长久的可靠性分析性仍不梦想。近些年前来，二维六方氮化硼（h-BN）因而高机械装备性构造、高导电性、平面磨蜂窝状的格局和原子核格局核厚薄/竖直度等**耐热性，引发了客户的很广关注度。原子核格局核蜂窝状的格局是由硼和氮原子核格局核的强共价键包括的，能**地抵御固体或固体氧分子的渗入。之所以，其**的物理化学可靠性分析性和持续耐高溫（800 ℃）下的抗防腐蚀性还远低于GR。前者的媒体宣传报道信息显示h-BN壳在金屬微米aa粒子束和微米晶上的包封效果。将Pt和PtRu合金类微米aa粒子束背包在几层h-BN壳层中变成核壳促使脱色剂，可**得到缓解CO中毒了一些难题，增进燃料油手机电池的电促使脱色反响。之所以，二维h-BN层与金屬微米aa粒子束和微米晶紧凑融入，塑造出了其**的抗防腐蚀的能力，可提生其在各种各样的耐热性上的可靠性分析性。
在牢固和模块的现象，夹丝波璃墙和夹丝波璃窗在目前钢结构工程设计中的适用越变越多越好。取暖、排风和空调制冷控制系统都可以说占钢结构工程设计物能效的半页，一般说来需经过透明度的壁和门窗来补上热量经济损失。在目前钢结构工程设计中，热量消耗掉最主要的是经过门窗对光的光的波长低于5 μm的中红外（mid-IR）光采取热普及，而光的光的波长少于5 μm的中红外（mid-IR）光都可以被傳統夹丝波璃窗一部分消除，第三步有效的转化为热普及。其实用真空系统镀银技木备制了高反射面率、低使用率的镀银夹丝波璃，以抗衡傳統的夹丝波璃窗，但其**的多少钱厉害制衡了其适用。如此，具有着低直接费用、可以调节光纤激光切割机的和性热能的智能化夹丝波璃对待自我保护他人信息泄露和节俭目前钢结构工程设计内的普及热量是必不得少的。
近些年，厦门大学蔡端俊教授、李森森教授（共同通讯作者）等等报道怎么写了六方氮化硼钝化方法并制作出了超保持稳定的、呵护性黑色的铜纳米级线导体。写作者适用血压低压高化学式色谱沉积状法，在Cu-NWs线上侧墙上外延性植物生长一定量原子结构层的六方氮化硼（h-BN）呵护层，使其在较高温度（真空室900 ℃）、高环境湿度（95% RH）和强碱强碱/强碱/防还原剂水溶液（NaOH/H2O2）下皆可刷快**的稳固性。并且，所制作出Cu@h-BN的光电技术新技术和电学效果与原Cu NWs根本重复（如高透光率（~93%）和高导电率（60.9 Ω/sq））。更趣味性的，该全半透电极片兼具看得见光和红外光的选定 穿过性，选用于Cu@h-BN納米新技术线网和液晶板新技术，小说原作者成功率地制作好几个种创新型智力隐私保护安全玻璃纸，它行操作安全玻璃纸能见度由全半透到不全半透的更快添加（0.26 s）；同样，充分利用Cu@h-BN納米新技术线**遮挡中红外光，可屏蔽了大范围地扩散热，高达低碳的效果和构建处理红外摄像头的效果。将作为之后智力古建筑的黑现代科技选用程序中的一种。小说原作者明确提出，这种Cu@h-BN核壳納米新技术结构的的高精度项目工程在之后高效果网络和光网络配件中含着大面积的选用。一些收获以“Cu Nanowires Passivated with Hexagonal Boron Nitride - An Ultra-Stable, Selectively Transparent Conductor”发表文章于ACS Nano上。
图一
（a）转回Cu NWs的真空平台过滤清洁平台构造图；
（b）Cu NWs网站的OM图文；
（c）Si衬底上Cu-NWs的SEM画面；
（d）320℃短真空（10-4 torr）退火30 min后CuNWs网络的倾斜SEM图像；
（e）单根Cu NW的TEM图象，体现[1-10]的延长目标方向；
（f）Cu NW的HRTEM数字图像；
（g）Cu NWs的XRD图谱；
（h）Cu NWs的EDS图谱。
图二
（a）Cu NWs上芯片封装h-BN的LPCVD系統目的图；
（b）比如关键基材上的发送Cu NWs网络上关心图；
（c）Cu NW上的h-BN壳的封口；
（d）Cu NWs上的h-BN壳的立体二极管封装；
（e~g）900 ℃加熱30s，e）在沒有三氮杂硼烷前置前置前轮驱动体的Cu袋中、f）在T1区有三氮杂硼烷前置前置前轮驱动体、g）在T1区和T六区有着三氮杂硼烷前置前置前轮驱动体的Cu NWs的SEM图像文件。
图三
（a）有所差异T2高温下Cu@h-BN NWs网上的SEM图案；
（b）Cu@h-BN NWs网络上的TEM图文，提示了h-BN芯片封装的补焊插头；
（c）氮化治理后Cu@h-BN NWs的HRTEM图形；
（d~f）主要为每个Cu@h-BN NW的Cu（橙色）、B（色）和N（金色）的EDS稀有元素投射画面以及其TEM画面。
图四
（a~c）a）无，b）有和c）NH3流的Cu@h-BN NWs的XPS谱；
（d）经差异時间汽车镀膜后的Cu@h-BN NWs的AES光谱分析；
（e）B和Cu的组成了与AES取得的镀层数次的变量关系的图；
（f）h-BN壳层钢板厚度与纳米涂层多少次的涵数关系的图；
（g）经差异日子镀膜等等后的Cu@h-BN NWs保护膜的电子散射率光谱图；
（h）h-BN封装类型左右Cu NWs网格散射率（550 nm）随片电阻值的变换曲线美图；
（i）交流电压为3 V下，Cu@h-BN NWs TC进行连接一种工作的的蓝色LED的相册图片。
图五
（a）在差异温度因素下制成的Cu@h-BN NWs的电阻器任何时候间的变现规率；
（b、c）在200 ℃下，各项Cu NWs的维持性耐压试验；
（d）在200 ℃下蒸汽加热8一小时后的Cu NWs、Cu NWs/PMMA和Cu@h-BN NWs的张片；
（e、f）300 ℃和400 ℃下，对Cu@h-BN NWs进行稳定性试验；
（g）Cu NWs和Cu@h-BN NWs在85℃和95% RH水分子含量要求下的继续可靠性校正；
（h、i）在碱溶液[NaOH (0.5 mol/L，pH=12)]和强氧化剂[H2O2 (0.65 mol/L)]中进行30 min的化学稳定性试验。
图六、智能隐私玻璃的制作和使用
（a）根据Cu@h-BN NWs的TCs和PDLC的电子器件框架；
（b、c）运作共识机制举手图；
（d、e）智能化夹层玻璃的图片，信息显示半透明体和不半透明体的情况中的可逆性更换；
（f）在不相同高聚物物/LC比下，座谈会工作电压对态通过率的导致；
（g）石英玻璃和智能隐私玻璃在加热板（80 ℃）上方的关闭/打开状态的红外照片；
（h）早上12:00拍摄拍照的智慧窗仍处于关闭系统的情况的红外拍照；
（i）顺利通过连续性转换开关嵌套循环才能得到的透光率；
（j）单独的开/关间歇，表现出错时刻；
（k）在下午照光照光下工作上4半小时200个生长期性的透光率的长期性相对承载能力分析。
下面给出半个种简便、可以控制的高压低压化学反应液相堆积（LPCVD）设计在Cu-NWs层上外加种子发芽二维h-BN壳层。作家利用硫酸铜溶液法组成了**（~18 nm）和最长（>40 μm）铜微米线。为液相堆积提纯**2dh-B N壳层，作家规划半个种磁控铜膜科技和B/N前置前驱体高速 提供给设计。获得的到的Cu@h-BN微米晶具备高的长径比（>1400），平均的内径为28±2 nm，高的磁学利用率（550 nm时以上93%）和高的导电率（60.9 Ω/sq）。主要的是，其在高温作业（真空系统900 ℃）、高含水率（95% RH）和烧碱溶剂强碱、烧碱溶剂或氧化的剂溶剂下领取了**的热维持性和检查是否维持性。创诗人还针对Cu@h-BNNWsTCs和PDLC取得胜利地加工制作了一大种双模自动化个人隐私安全玻璃，推动了光、热走势的机灵设定和变换。创诗人看作，进行这款技术设备，h-BN或沒有二维板材能够 进行同时装封和与Cu-NWs的紧凑配合受到给予机灵地出显现出**特点，其即将在**光电技术元器件和现今自动化建筑设计中受到宽泛的应用软件。
资料联接：Cu Nanowires Passivated with Hexagonal Boron Nitride - An Ultra-Stable, Selectively Transparent Conductor（ACS Nano,2020.,DOI:10.1021/acsnano.0c00109）
厦门大学蔡端俊教授实验组，经常性专注于于合金类材料微米级线缆料、二维半导体设备设备薄层、深太阳光的红外光谱线（DUV）半导体设备设备LED器材、自动化可配戴感知器材之开发。在该方向取得好几回系例优秀成果，成功失败的 生成世界里上很细的铜米线（< 16 nm）并进行功数学函数能调的深太阳光的红外光谱线半透度工业软件应用，进行3D微米材料包围铜米线生成及全半透度LED处理芯片提纯，进行一锅法飞速核壳合金类Cu微米级线网洛提纯，成功失败的 提纯太大建筑面积二维单原子框架层h-BN薄膜和珍珠棉（>; 25 inch）并进行p型电导夹杂，要求非等势面超溥AlN/GaN超晶格人工控制框架并进行了深太阳光的红外光谱线会发光的各向男同化调制解调。
参考文献:
[1] Journal of Physical Chemistry Letters 11, 2559-2569 (2020).
[2] Scientific Reports 8, 13721 (2018).
[3] ACS Applied Materials & Interfaces 8, 28709 (2016).
[4] Nanoscale 10, 4361-4369 (2018).
[5] Scientific Reports 6, 34766 (2016).
[6] Nanoscale 7, 10613–10621 (2015).
[7] Scientific Reports 3, 2323 (2013).
[8] Laser & Photonics Reviews 7, 572 (2013).
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