通透导体（TCs）已经变成为现如今光电公司子产品的设备（如会发光电子无线元器件大家庭中的一员-二极管（LED）、摸屏和可穿脱电子无线产品的设备）无法或缺的组合成有些。现阶段，傳統的铟锡氧化的物（ITO）致使含有高的导电性和散发出率（90%散发出率时为10Ω/sq），就会占据了乃至部位的市厂分额（>90%）。因此，致使ITO原有的机械性翠绿性、高成本预算溅射生产技术、太阳系上的铟储量低，让其在TCs化工业中的主导型社会地位频发暗削。对此，不同的各种的用料，如塑料納米级线（NWs）无线网络、石墨稀（GR）、碳納米级管和导电缩聚物等，都被具有广泛性科学研究以替代ITO做下第一代TCs。在重金属奈米线中，即使银（Ag）兼具尽量的导电性，但铜的收费比银划算100倍，其导电率仅比银低6%。除此以外，铜纳米级体系无线网络还具有低加工生产费用、低片电阻器、高透光率和高自动化设备密度，这更加它在一两天的未来五年变成 改变ITO有我希望的得票数者之首。
稳确定高性和可靠性处理高性是光电子材料子集成电路芯片和TCs集成电路芯片关键的使用耐磨性方面标准要求之四。常见比喻，的设备的现实的事业方式并是不那样好和纯真。这样的要严状态机会有高工作电流、高的温度、高机制比強度、修容比強度或中频段。或许，Cu-NWs-TCs在学习区域气息下的最快钝化、耐酸碱介质中的浸蚀和高的温度下的熔解变成了限制其使用的其主要弱点。要想改善这样的间题，朋友联合开发了GR、钝化納米级材料（GO）、金屬、金屬钝化物和缔合物用于保護层来加快Cu-NWs的稳确定高性和可靠性处理高性，并消息了GR合金金属件涂层在LED集成电路芯片中的现实的使用。但在光电子材料集成电路芯片的外链学习区域和内部组合学习区域等学习区域状态下，其长远稳确定高性和可靠性处理高性仍不好。近两这几年来，二维六方氮化硼（h-BN）以高机制比強度、高导电性、水平面蜂窝状组合和氧原子核机构料厚/圆滑度等**使用耐磨性方面，产生了朋友的常见观注。氧原子核机构蜂窝状组合是由硼和氮氧原子核机构的强共价键组合的，能**地抗击气休或介质大分子的固化。因为，其**的化工稳确定高性和可靠性处理高性和高的温度（800 ℃）下的抗钝化性以至于相较于GR。仍然的消息信息显示h-BN壳在金屬納米级再生颗粒和納米级晶上的包封使用。将Pt和PtRu锰钢納米级再生颗粒快递包裹在几层h-BN壳层中造成核壳离子液体剂，可**减轻CO中毒症状间题，提升清洁燃料电池箱的电离子液体反映。因为，二维h-BN层与金屬納米级再生颗粒和納米级晶密封联系，展示出了其**的抗钝化专业能力，可加快其在多种使用耐磨性方面上的稳确定高性和可靠性处理高性。
根据大方和的功能的原故，的波璃墙和的波璃窗在意式工程钢结构建筑物材料中的高技术应该用变得越小。取暖、室内通风和空调机整体就可以说占工程钢结构建筑物材料物用电量的基石，大多数要求在无色的墙壁等元素和铝门窗来赔偿费正电量是什么丢失。在意式工程钢结构建筑物材料中，正电量是什么消费主耍是在铝门窗对光谱需小于5 μm的中红外（mid-IR）光做好热电磁覆盖，而光谱多于5 μm的中红外（mid-IR）光就可以被传统与現代艺术的波璃窗部位降解，在此生成为热电磁覆盖。也许用负压镀银高技术备制了高散射率、低导弹发射率的镀银的波璃，以转变成传统与現代艺术的的波璃窗，但其**的价值为严重束缚了其高技术应该用。所以，存在低生产成本、可调节光学钢化玻璃和性温能的自动化的波璃这对保護他人私隐和得节约意式工程钢结构建筑物材料内的电磁覆盖正电量是什么是必极为重要的。
不过近期，厦门大学蔡端俊教授、李森森教授（共同通讯作者）等等媒体报道了六方氮化硼钝化能力并制法出了超比较稳定的、选用性通透的铜纳米级线导体。小说作品所采用压差大化工气相色谱沉积状法，在Cu-NWswifi网络内壁上本质生长期极富原子团层的六方氮化硼（h-BN）保养层，使其在持续高温（真空箱900 ℃）、高对环境湿度的（95% RH）和强碱/强碱/腐蚀剂盐溶液（NaOH/H2O2）下皆可收获**的平稳性。并且，所分离纯化出Cu@h-BN的光学反应和电学的能力与原Cu NWs基本的相同之处（如高透光率（~93%）和高导电率（60.9 Ω/sq））。更妙趣横生的，该半透体电极片具有着不错看出光和红外光的决定反射光性，依据Cu@h-BN納米技术新技术线无线网络和液晶板新技术，作家成功的英文地分离纯化半个种新形智力化个人隐私的玻璃板，它不错调整的玻璃板能见度由半透体到不半透体的便捷设置成（0.26 s）；并且，合理利用Cu@h-BN納米技术新技术线**拦阻中红外光，可闭屏散发热，达标节电的意图和构建阻止红外监控摄像头的工作。将变成了未来十年是什么智力化建筑装修的黑科学技术模块其一。作家提出，这Cu@h-BN核壳納米技术新技术结构的的五金机械工程施工在未来十年是什么高的能力网络和光网络器材中含着大量的软件应用。有关成绩以“Cu Nanowires Passivated with Hexagonal Boron Nitride - An Ultra-Stable, Selectively Transparent Conductor”发表论文于ACS Nano上。
图一
（a）转换Cu NWs的蒸空脱水系统的图示图；
（b）Cu NWs数据网络的OM图象；
（c）Si衬底上Cu-NWs的SEM数字图像；
（d）320℃短真空（10-4 torr）退火30 min后CuNWs网络的倾斜SEM图像；
（e）单根Cu NW的TEM影像，出现[1-10]的无限拉长方法；
（f）Cu NW的HRTEM图片；
（g）Cu NWs的XRD图谱；
（h）Cu NWs的EDS图谱。
图二
（a）Cu NWs上打包封装h-BN的LPCVD软件系统机理图；
（b）累似制定目标基钢板上的高速传输Cu NWs网站提醒图；
（c）Cu NW上的h-BN壳的装封；
（d）Cu NWs上的h-BN壳的三维立体二极管封装；
（e~g）900 ℃烧水30s，e）在就没有三氮杂硼烷前置前置前轮驱动体的Cu袋中、f）在T1区有三氮杂硼烷前置前置前轮驱动体、g）在T1区和T二区都是三氮杂硼烷前置前置前轮驱动体的Cu NWs的SEM影像。
图三
（a）各个T2热度下Cu@h-BN NWs网络上的SEM图片；
（b）Cu@h-BN NWs数据网络的TEM影像，彰显了h-BN芯片封装的电弧焊接接线头；
（c）氮化进行处理后Cu@h-BN NWs的HRTEM数字图像；
（d~f）依次为独立Cu@h-BN NW的Cu（绿色）、B（橘红色）和N（呈黄色）的EDS原素投射图文试述TEM图文。
图四
（a~c）a）无，b）有和c）NH3流的Cu@h-BN NWs的XPS谱；
（d）经不同于时段表层的镀膜后的Cu@h-BN NWs的AES光谱仪；
（e）B和Cu的組成与AES领取的涂覆数次的变量关系的图；
（f）h-BN壳层机的薄厚与镀层单次的数学函数联系图；
（g）经各种不同时电镀后的Cu@h-BN NWs薄膜和珍珠棉的散发出率光谱分析；
（h）h-BN封裝之前之后Cu NWs网络上散发出率（550 nm）随片阻值的变弧线图；
（i）电流电压为3 V下，Cu@h-BN NWs TC连结一款做工作的粉红色LED的照片图片。
图五
（a）在与众不同溫度下聚合的Cu@h-BN NWs的内阻及时间的改变法则；
（b、c）在200 ℃下，繁多Cu NWs的可靠性冲击试验；
（d）在200 ℃下采暖器8一小时后的Cu NWs、Cu NWs/PMMA和Cu@h-BN NWs的照片头像；
（e、f）300 ℃和400 ℃下，对Cu@h-BN NWs进行稳定性试验；
（g）Cu NWs和Cu@h-BN NWs在85℃和95% RH温度水平下的长时间平稳性实验；
（h、i）在碱溶液[NaOH (0.5 mol/L，pH=12)]和强氧化剂[H2O2 (0.65 mol/L)]中进行30 min的化学稳定性试验。
图六、智能隐私玻璃的制作和使用
（a）因为Cu@h-BN NWs的TCs和PDLC的元器件封装形式；
（b、c）运行措施图示图；
（d、e）智慧窗户玻璃的美图照片，彰显透明度色和不透明度色情况相互的可逆反应开启；
（f）在不同的聚合反应物/LC比下，沟通电流值对态透射率的印象；
（g）石英玻璃和智能隐私玻璃在加热板（80 ℃）上方的关闭/打开状态的红外照片；
（h）中午12:00摄像的智能化窗长期处在关闭动态的红外美图照片；
（i）进行连续式电开关循环往复拿到的透光率；
（j）单独的开/关配置，显视初始化失败时间间隔；
（k）在下午太阳日照时间射下工作中4H200个时间是的透光率的长久的安全稳定量分析。
这篇文要求新一种简单易行、可以控制的血压低压高化学上的液相色谱火成岩（LPCVD）最简单的方法在Cu-NWs层上外延性种植二维h-BN壳层。小说创作者进行盐溶液法合出了**（~18 nm）和较长（>40 μm）铜納米线。为液相色谱火成岩准备**2dh-B N壳层，小说创作者设定新一种磁控铜膜高技术和B/N前置前驱体快捷提供方案设计。增值税到的Cu@h-BN納米晶兼具高的长径比（>1400），均直径为为28±2 nm，高的光电穿透率（550 nm时不超93%）和高的导电率（60.9 Ω/sq）。重要性的是，其在常温（负压900 ℃）、高空气湿度（95% RH）和烧碱悬浊液强碱、烧碱悬浊液或氧化反应剂悬浊液下领取了**的热相对稳判定和化学反应相对稳判定。小编还针对Cu@h-BNNWsTCs和PDLC获得成功地生产制作一堆种双模智能化化私密照片玻离，进行了光、热预警的利索调整和变换。小编看作，用这一种水平，h-BN或另一个二维古建筑材料能能用真接装封和与Cu-NWs的密实依照能够 而非利索地凸显出**耐热性，其有机会在**微电子配件和当今很多家庭智能化化古建筑中能够 普遍的选用。
学术论文地址：Cu Nanowires Passivated with Hexagonal Boron Nitride - An Ultra-Stable, Selectively Transparent Conductor（ACS Nano,2020.,DOI:10.1021/acsnano.0c00109）
厦门大学蔡端俊教授研究分析组，常年努力于铝合金材料奈米数据线料、二维半导薄层、深红外光谱（DUV）半导LED集成电路电源芯片、智能化可穿脱感应器集成电路电源芯片之研发团队。在该研究方向赢得半个系列产品成效，顺利结合这个世上很细的铜米线（< 16 nm）并体现功变量可控的深红外光谱全乳白色电极片利用，体现3D纳米技术材料包囊铜米线结合及全全乳白色LED电源芯片制法，体现一锅法便捷核壳合金材料Cu奈米线在线制法，顺利制法超级大大小二维单氧原子层h-BN贴膜（> 25 inch）并体现p型电导夹杂着，提供非轴对称超簿AlN/GaN超晶格人工控制的结构并体现了深红外光谱变色的各向同性恋化幅度调制。
参考文献:
[1] Journal of Physical Chemistry Letters 11, 2559-2569 (2020).
[2] Scientific Reports 8, 13721 (2018).
[3] ACS Applied Materials & Interfaces 8, 28709 (2016).
[4] Nanoscale 10, 4361-4369 (2018).
[5] Scientific Reports 6, 34766 (2016).
[6] Nanoscale 7, 10613–10621 (2015).
[7] Scientific Reports 3, 2323 (2013).
[8] Laser & Photonics Reviews 7, 572 (2013).
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