六方氮化硼与石墨烯材料组合导致异质结（h-BN/Graphene）的定量分析图

昆明pg电子娱乐游戏app 生物体科持有限司英文司供应商氮化硼粉尘、编织成单层、少层氮化硼，六方氮化硼微米片、不同的肌底CVD生张的氮化硼(c-BN)膜、氧分子夹杂六方氮化硼、并且 提炼六方氮化硼、纳米用料、二混炼钼等行成异质结结合用料。

异质结是三种有差异 的半导体设备材料相触及所产生的表面区，异质结常极具三种半导体设备材料相对的PN结都不可能实现的质量良好的光电材料的特点，使它适用于制作方法超多速按钮元器件、阳光直晒能电池充电相应半导体技术机光器等。为此利用将六方氮化硼与别二维建材完成黏结造成异质结以配合四种的材料的优越性和性能指标，也是現在研发的无线热点之首。将氮化硼BN和石墨烯材料实行单分子层的组合，而使利用BN的绝缘性性能指标和石墨的导电力，留住了重工通用的方法和科学课界的广泛的特别留意。经由CVD还有外延性出现的做法，就可以以做到异质结的成型。

纳米材料/h-BN异质结3种有所不同的堆积作用方试表示图（a）AA; （b）ABB;（c）ABN;上图为俯览图

BN-石墨稀异质结的制得和分析方法

(a) 纳米材料/h-BN面内及横向联系叠层异质结的植物生长示图图; (b)异质结的UV-visible光谱分析定性分析

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