砷化铟(InAs) 晶体 <100>取向单晶基片
砷化铟是由铟和砷组成的Ⅲ一V族类化合物半导器件相关材料。InAs不是种难以纯化的半导器件相关材料。非掺In.As多晶硅的余量载流子渗透压高与l×10/cm,制冷光电子转迁率3.3×10^3cm/(V·s),空穴转迁率460cm/(V·s)。硫在In.As中的**分凝数值取决于1,故可作n型参杂剂,以增长横向载流子渗透压布置的光滑性。工业生产用的InAs(s)多晶硅,n≥1×10/cm3,μ≤2.0×10cm/(V·s),EPD≤5×10/cm。



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