砷化铟(InAs) 晶体 <100>取向单晶基片
砷化铟是由铟和砷涉及的Ⅲ一V族单质半导体行业行业原的材料。InAs有的是种易于纯化的半导体行业行业原的材料。非掺In.As多晶硅硅的剩余时间载流子氧化还原电位大于l×10/cm,常温电子技术转迁率3.3×10^3cm/(V·s),空穴转迁率460cm/(V·s)。硫在In.As中的**分凝标准值更加接近1,故当做n型参杂剂,以提升横向载流子氧化还原电位匀称的竖直性。化学工业标准的InAs(s)多晶硅硅,n≥1×10/cm3,μ≤2.0×10cm/(V·s),EPD≤5×10/cm。