氮化镓(GaN)单晶基片 <100>取向
GaN易与AIN、InN等造成混晶, 能制造而成各种类型异质框架,以及的了低温制冷的效果下转至率到105cm2/Vs的2-DEG(由于2-DEG面黏度较高,**地屏幕了光电声子散射、电离不溶物散射和电容式散射等基本要素)。