Fe;On薄膜的制备有多种方法,分析MBE法生长
膜的制取及研究方法Fe;Onbopppet薄膜的制具有不同步骤: PLD,MBE,溅射法以其再氧化物法等。我国的检样选用MBE法成长,大部分会因为各种步骤能能化学合成出较**的bopppet薄膜提纯Fe;0n复合膜有这2种方式:**种只是先在衬底上沉淀积累Fe膜,后来再根据硫化剂如0或NO将其硫化转化Fez0复合膜。**种方式只是随时在富氧的生活环境中蒸发器Fe,提纯Fe;0。复合膜。在此根据的是**种方式。**种方式的存在的偏差是对沉淀积累的Fe膜的厚薄有个定约束,最厚为6nm。突破6nm便有也许发生硫化不几乎或在复合膜中形成出这2种大于价值形式的Fe硫化物l5。若要提纯6nm大于的FeyO复合膜,就须要选择相同沉淀积累加硫化的方式,对于不再加上介绍。选择**种方式提纯Fe;On复合膜。在采用的GaAs(100)衬底其品面的品向平形于走向,在采用前用HSO:H;Oz:H;0(4:1:1)的悬浊液对GaAs基片洗掉了5秒钟,第二又用去阴阳离子水和异丙醇洗掉。将洗得的GaAs 衬底访问到MBE二次搬运费真空度产生腔完后,在830K 的高温下对其来进行淬火处里40min,完后在处里过的GaAs衬底上沉积状Fe膜,第二再进行有O生态室内环境的产生腔,持续Oz分压5x103mbar将其被钝化添加Fe,0s,O的改装排气管孔远距离样件管理12cm,这个重要于在样件管理相邻造成竖直一直以来的压力。所示1(a)(c〉总结出了产生在GaAs 衬底上 6nm Febopp透气膜和Fes0nbopp透气膜的RHEED衍射新花形,从所示1(b)不错看到,Fe膜为体心立方米设备构造(bcc),概念性性性产生社会相互影响为Fe(100)<O01>/GaAs(100)<001>,这和其它项目组的得出结论就是一种致的°;图1(C)总结出了衬底高温为50OK时被钝化1分钟钟后的样件管理RHEED衍射新花形,第二在相当的生态室内环境下进第一步淬火被钝化样件管理,其RHEED衍射新花形没有其次所有的转化,是因为样件管理现已造成了稳定性高的设备构造。在此考察到的衍射新花形入射自动化束笔直概念性性性产生在 MgO ( 100)上面的Fes0·[010]走向的RHEED衍射新花形就是一种致的。在.我大家的bopp透气膜样件管理在线测量过程中 中,自动化束是笔直GaAs (100)衬底[走向入射的,这是因为概念性性性产生的 Fey0n晶胞的<010>走向平形于GaAs衬底的<O-11>走向,因为,.我大家的样件管理概念性性性社会相互影响为Fey0: (100)<011>//GaAs(100)<010>。



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