磁光石榴石多晶硅贴膜掺Bi磁光石榴石单晶体体塑料膜是种轻型的光问题基本功能的原材料。它具备有高的Faraday补偿器比Qs，较大的光吸收能力标准值α,大的磁光优值0/α和能调节的过饱和磁化屈服强度。故可以用于磁光调制解调器、磁光丢开器、激光行业悠悠球,各类高压感应电流检测仪、磁光储存器、磁光波导器、图像显示信息、磁光偏转器、磁光泡电子元器件等。自己用等温浸渍液质外加法，在(111)Gd,Ga,0z衬底上繁殖(BiTm),(FeGa)5O12及(BiPrGdYb)2(FeA1)6O12:磁光单晶体体塑料膜,磁光优值分开 达2.90及4.05deg/dB,其主要能性能见表1。

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铜铬磷硫CuCrP2S6pe膜铜铁锡硫(CFTS)薄膜和珍珠棉铜铟硫光学薄膜和珍珠棉铬-氧复合膜铜铟硒硫pe膜铬硅碲CrSiTe3透气膜镍铬/铬硅钴聚酰亚胺膜函数的凹凸性Cr-Si系硅化物膜碲化镉-硅基复合膜植入多微米片的碲化铬塑料薄膜三价铬电堆积奈米设备构造镀后/复合膜铬锗碲CrGeTe3溥膜锗镓碲硫卤的玻璃膜高机械性能锗锑碲相变松膜银/铬（Cr/Ag）溥膜铜铟磷硫CuInP2S6塑料膜铜铟硫(CuInS2,缩略词CIS)半导体芯片保护膜氯化铬CrCl3塑料薄膜碲化钴CoTe2聚酯薄膜钴掺入TiO2溥膜银钒磷硒AgVP2Se6bopp薄膜银奈米胶片银铋硫透明膜铬-银-金复合膜石墨稀/银复合材料复合膜银金纳米级线PDMS结合塑料薄膜聚丁二烯醇/二阳极氧化钛(PVAmO2)nm挽回复合膜电积累银铟硒溥膜热轧钯银碳素钢pe膜三塑炼二镓Ga2S3溥膜FeS2pp塑料膜三硒化二镓Ga2Se3保护膜微米砷化镓（GaAs）pet薄膜砷化镓（GaAs）纳米技术成分聚酰亚胺膜砷化镓（GaAs）多晶溥膜GaAs/Ga2O3挽回多晶透气膜镓铟硒GaInSe溥膜铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,缩写GIGS)胶片大面積铜铟镓硒(GIGS)贴膜电镀锌镓GaP复合膜槽式铜铟镓硒(CIGS)透明膜加硫锌(ZnS)加载层pet薄膜镓硫碲GaSTepet薄膜特征提取锗镓碲硫卤安全玻璃保护膜ZnS1-x Tex复合膜碲基硫属类化合物复合膜二硫化橡胶铪HfS2塑料膜二硒化铪HfSe2微米塑料薄膜二被氧化铪的图案化聚酰亚胺膜享有V型准带框架的锑硫硒塑料膜二空气氧化铪(HfO2)纳米级晶态膜花菁染色剂pe膜碲化镉(CdTe)多晶pe膜nm料厚的铌基超导薄型复合膜夹杂铌和钴因素的锆钛酸铅(PZT)塑料膜碲化铷保护膜二碲化镍NiTe2保护膜累计半导体行业聚酰亚胺膜二硒化铂PtSe2膜大户型面积的二维PtSe2pe膜TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2保护膜高移动率层状硒氧化物铋Bi2O2Se光电器件贴膜碲氧溅射聚酯薄膜碲nm线超材料溥膜三加硫二锡Sn2S3薄膜和珍珠棉铜锌锡硫和加硫亚锡（CZTS和SnS）透气膜銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4溥膜硫硒化镉和硫硒化锌掩盖的二腐蚀钛pe膜纳米级二空气氧化钒(VO2)pet薄膜半导体技术硫(硒)化锌-锰塑料薄膜无粘附阻拦层Cu-Ni-Sn三块胶片恩贝益鎳磷鋁不锈钢透明膜钨夹杂着的硫硒化镍贴膜固溶体光电器件碲硫锌多晶bopp薄膜ZnS1-x TexZn(S,O)多晶pet薄膜锌肌底单单从表面超疏水保护膜Zr-Al分手后复合贴膜大占地二塑炼锆溥膜BaZrS3薄膜和珍珠棉碲化锰MnTebopp薄膜碲化镍NiTepe膜Cr夹杂着ZnS的期间带膜铜钴锡硫(硒)(CCTS(Se))bopp薄膜阳极氧化石墨烯材料/硝酸钠银分手后复合pet薄膜硫化石墨稀/PDDA透明膜塑炼砷AS2S3膜加硫砷非晶态光电器件塑料薄膜混炼砷的玻璃塑料膜低温环境生长的富砷的镓砷锑薄膜和珍珠棉As夹杂碲镉汞塑料膜锗砷硒光电器件膜三硒化二铋Bi2Se3塑料膜Sb2Te3pe膜三碲化二铋Bi2Te3聚酰亚胺膜晶界调空n型碲化铋聚酯薄膜碲化铋认知纳米技术柱状图薄膜和珍珠棉碲化铋纳米级pe膜碲化铋(Bi2Te3)有机化合物热电pe膜碲化镉硅基聚酰亚胺膜锰铋稀土资源(MnBiRE)磁光塑料薄膜二硫化橡胶銅銦复合膜二混炼钨液态润滑油的作用聚酯薄膜二塑炼铼(ReS2)膜yyp2021.4.1